第1章 电力电子器件

第1次测试(绪论与第1章)

1、什么是电力电子技术?
    A、用于电力领域的电子技术,即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
    B、用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
    C、用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
    D、电力电子技术的简称就是电子技术。

2、电力变换通常包括哪几类?
    A、AC/DC和DC/AC两大类。
    B、AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大类。
    C、AC/DC、DC/AC、DC/DC三大类。
    D、DC/AC、DC/DC、AC/AC三大类。

3、对电力电子器件描述正确的是:
    A、电力电子器件可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。
    B、电力电子器件是电子器件的总称。
    C、电力电子器件可用于电子系统中,实现电能的变换或控制的器件。
    D、电力电子器件不能直接用于主电路中,只是实现电能的变换或控制的电子器件。

4、电力电子器件同处理信息的电子器件相比,下面描述正确的是:
    A、电力电子器件的开通与断开一般不需要由信息电子电路来控制。
    B、能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。
    C、电力电子器件一般都工作在开通状态。
    D、电力电子器件一般都工作在关断状态。

5、下面对电力二极管描述正确的是哪个?
    A、电力二极管正向导通后,其正向压降为0V。
    B、电力二极管加反向电压就会被击穿。
    C、电力二极管的基本原理就是PN结的单向导电性。
    D、电力二极管加正向电压后其正向压降为0.7V。

6、电力二极管的额定电流指的是:
    A、允许流过最大电流的平均值。
    B、允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
    C、允许流过最大方波电流的平均值。
    D、允许流过最大工频正弦半波电流的平均值。

7、如下对晶闸管的半导体结构描述正确的是:
    A、晶闸管具有PNP和NPN六层半导体结构。
    B、晶闸管具有PN或NP这两层半导体结构。
    C、晶闸管具有PNP或NPN三层半导体结构。
    D、晶闸管具有PNPN四层半导体结构。

8、如下所述,晶闸管是如何导通的:
    A、在晶闸管阳极——阴极之间无论加正向或反向电压,只要门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
    B、在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
    C、在晶闸管阳极、门极(都相对于阴极)加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。
    D、在晶闸管阳极——阴极之间加反向电压,门极也加正向电压,产生足够的门极电流,则晶闸管导通。

9、如下所述,晶闸管门极的控制作用,表述正确的是:
    A、晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。
    B、晶闸管导通后,门极一旦无电流,则晶闸管就立即关断。
    C、晶闸管导通后,门极一旦加反向电压,则晶闸管就立即关断。
    D、晶闸管导通后,门极与阴极短路,则晶闸管就立即关断。

10、已经导通的晶闸管是如何关断的?
    A、要使晶闸管关断,则晶闸管的阳极电流要降到1A以下。
    B、要使晶闸管关断,只能在晶闸管两端加反向电压。
    C、要使晶闸管关断,只能要求晶闸管门极电流等于0。
    D、要使晶闸管关断,则晶闸管的阳极电流要降到接近于零的某一数值以下。

11、如下所述,晶闸管正向特性表述正确的是:
    A、随着门极电流幅值的不断增大,正向转折电压随之增大。
    B、只要门极电流幅值大于1mA,晶闸管承受正向电压时就导通。
    C、随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低。
    D、随着门极电流幅值的增大,正向转折电压随之上升。

12、如下所述,晶闸管反向特性表述正确的是:
    A、晶闸管加反向电压时,只要门极电流幅值较大,则晶闸管反向导通。
    B、反向特性类似于二极管的反向特性。
    C、晶闸管加反向电压时,只要门极也加反向电压,则晶闸管反向导通。
    D、晶闸管不允许加反向电压,如果加反向电压,立刻击穿。

13、如下所述,晶闸管开通与关断表述正确的是:
    A、晶闸管开通与关断过程都是即时完成的。
    B、晶闸管关断是即时完成的,开通需要一定时间的。
    C、晶闸管开通是即时完成的,关断需要一定时间的。
    D、晶闸管开通与关断都需要一定时间。

14、对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个?
    A、允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
    B、允许流过最大方波电流的平均值。
    C、允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
    D、允许流过最大电流的平均值。

15、如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:
    A、门极可关断晶闸管GTO不是PNPN四层的半导体结构。
    B、门极可关断晶闸管GTO是PNPN四层半导体结构。
    C、门极可关断晶闸管GTO与晶闸管SCR的半导体结构不一样。
    D、门极可关断晶闸管GTO是PPPN或PNNN四层半导体结构。

16、如下所述,GTO能够通过门极关断吗?
    A、GTO能够(或可以)通过门极关断。
    B、只要门极关断功率足够大,GTO和SCR都能够通过门极关断。
    C、GTO不能够通过门极关断。
    D、GTO能够通过门极关断,但门极与阴极间不能加反向电压。

17、如下所述,GTR典型输出特性分为:
    A、典型输出特性分为三个区:截止区、放大区和非饱和区。
    B、典型输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
    C、典型输出特性分为三个区:截止区、线性区和非饱和区。
    D、典型输出特性分为三个区:截止区、非线性区和饱和区。

18、有关GTR的二次击穿现象表述正确的是:
    A、虽然GTR存在二次击穿现象,但GTR的安全工作区与二次击穿现象无关。
    B、GTR的安全工作区就是二次击穿曲线。
    C、GTR的安全工作区与其存在二次击穿现象有关。
    D、GTR的安全工作区是矩形的。

19、电力MOSFET导通表述正确的是:
    A、当栅极电压为零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。
    B、当栅极电压小于零时,N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。
    C、当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。
    D、当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

20、MOSFET的输出特性分为:
    A、MOSFET输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。
    B、MOSFET输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
    C、MOSFET的输出特性分三个区:截止区、非饱和区和饱和区。
    D、MOSFET的输出特性分为三个区:截止区、非饱和区以及放大区。

21、有关MOSFET的通态电阻,表述正确的是哪个?
    A、MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流不利。
    B、MOSFET的通态电阻具有负温度系数,不能并联使用。
    C、MOSFET的通态电阻具有负温度系数,对器件并联时的均流有利。
    D、MOSFET的通态电阻具有正温度系数,此特性对器件并联时的均流有利。

22、如下关于MOSFET的开关速度,表述正确的是:
    A、MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。
    B、MOSFET是场控器件,静态时栅极几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。
    C、MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程时间长。
    D、MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。

23、关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:
    A、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比GTR慢。
    B、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度比电力MOSFET更快。
    C、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其驱动电流很大。
    D、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合器件,其开关速度通常比GTR更快。

24、如下所述,关于绝缘栅双极晶体管安全工作区,表述正确的是:
    A、相同电压和电流定额时,IGBT安全工作区与GTR是一样的。
    B、相同电压和电流定额时,IGBT安全工作区比GTR宽。
    C、相同电压和电流定额时,IGBT的安全工作区比GTR更窄。
    D、相同电压和电流定额时,IGBT安全工作区比GTR稍窄,但几乎相同。

25、如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:
    A、集成门极换流晶闸管简称IGCT。
    B、金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
    C、绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
    D、半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。

26、有关功率集成电路,下面哪个表述是正确的?
    A、功率半控器件的驱动集成电路称为功率集成电路。
    B、将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路封装在一起,称为功率集成电路。
    C、功率自关断器件称为功率集成电路。
    D、将功率自关断器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上,称为功率集成电路。

27、如下有关电力电子器件驱动,表述正确的是:
    A、电流驱动型的电力电子器件具有输入阻抗很高的特点。
    B、电压驱动型电力电子器件具有输入阻抗高的特点。
    C、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件都具有输入阻抗高的特点。
    D、电流驱动型和电压驱动型电力电子器件输入阻抗相同。

28、电力电子器件类型可按如下哪种分类?
    A、电力电子器件可分为二极管型、双极型和复合型三类。
    B、电力电子器件可分为双极型和复合型两类。
    C、电力电子器件可分为二极管型、单极型、双极型和复合型四类。
    D、电力电子器件可分为单极型、双极型和复合型三类。

29、信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。

30、按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:半控型器件、全控型器件、不可控器件。

31、二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性。

32、电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。

33、三极管共基极电流放大倍数为集电极电流与发射极电流之比。

34、如果晶闸管原来是阻断的,即使有外加正向阳极电压,但如果无触发电流IG,则晶闸管仍然是阻断的。

35、晶闸管反向阻断状态时,如果有触发电流IG,则晶闸管反向导通。

36、晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。

37、GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构,引出3个极。

38、电力晶体管也称为GTR,与普通的双极结型晶体管相比,耐压低但电流大。

39、N沟道增强型电力MOSFET,引出3个端,分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。

40、电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数,对器件并联时的均流不利。

41、绝缘栅双极晶体管相当于是GTR和MOSFET两类器件取长补短结合而成的复合器件。

42、绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域:正向阻断区、有源区和饱和区。

43、IGCT是集成门极换流晶闸管(Integrated Gate-Commutated Thyristor)的英文缩写。

44、晶闸管、GTO、GTR是单极型器件;电力MOSFET是双极型器件;IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。

第1次作业(含第0章)

1、什么是电力电子技术?

2、传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么?

3、按可控性分类,电力电子器件分哪几类?

4、电力二极管有哪些类型?各类型电力二极管的反向恢复时间大约为多少?

5、已处于通态的晶闸管,撤除其驱动电流为什么不能关断,怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

6、GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?

第2次作业1(第1章)

1、关于GTR,请回答如下两个问题: 1)描述GTR 的二次击穿特性。 2)为什么GTR 在开关瞬变过程中易被击穿?有什么预防措施?

2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构,说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

3、作为开关使用时,IGBT有哪些优点?

4、试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。

5、试分析电力电子集成技术可以带来哪些益处。智能功率模块与功率集成电路实现集成的思路有何不同?

第2章 电力电子器件的使用问题

第2次测试(第2章)

1、关于驱动电路的电气隔离,表述正确的是下面哪个?
    A、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用光隔离。
    B、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。
    C、电力电子器件驱动的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
    D、电力电子器件驱动电气隔离环节一般采用磁隔离。

2、关于晶闸管触发电路的输出脉冲,表述正确的是下面哪个?
    A、脉冲宽度应使晶闸管可靠导通,触发脉冲应有足够的宽度与幅度。
    B、触发脉冲瞬时功率不得大于平均功率定额。
    C、触发脉冲宽度无要求,触发脉冲应有足够的幅度。
    D、触发脉冲应有足够的幅度,触发脉冲宽度无要求。

3、关于相控电路的驱动电路,表述正确的是:
    A、相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同,两者相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
    B、相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
    C、相控驱动电路都不需要同步环节,外加控制电压大小可以确定控制相位。
    D、相控驱动电路都不需要同步环节,外加控制电压大小基本可以确定控制相位。

4、关于电力电子器件驱动,表述正确的是下面哪个?
    A、IGBT驱动电路需要输出很大的驱动电流,对输出电压大小无特别规定。
    B、GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
    C、MOSFET驱动电路输出的驱动电流不大,对输出电压大小无特别规定。
    D、MOSFET驱动电路输出的驱动电流很大,对输出电压大小有规定。

5、GTR驱动电路中的贝克嵌位二极管是为了:
    A、使GTR截止。
    B、防止GTR导通时的过饱和。
    C、防止GTR导通。
    D、防止GTR导通时处于欠饱和状态。

6、如下所述,关于电力电子装置过电压,表述正确的是:
    A、需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。
    B、雷击过电压是由电力电子装置外部产生的,不需要采取措施进行保护。
    C、电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
    D、电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压4类。

7、关于电力电子装置过电流保护,表述正确的是下面哪一个?
    A、如果电力电子装置中已经安装了快速熔断器,则不需要其它过电流保护措施。
    B、对重要的、且易发生短路的晶闸管设备或全控型器件,需采用电子电路进行过电流保护,响应最快。
    C、快速熔断器仅用于部分区段的过载保护。
    D、快速熔断器仅用于短路保护。

8、关于电力电子器件缓冲电路,表述正确的是下面哪一个?
    A、缓冲电路又称吸收电路,目的是吸收电力电子器件的热量。
    B、缓冲电路又称吸收电路,目的是使器件的开关速度变为缓慢。
    C、缓冲电路又称吸收电路,目的是抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,减小器件的开关损耗。
    D、缓冲电路又称吸收电路,目的是抑制器件内因过电压、过电流,但并没有减小器件的开关损耗。

9、关于关断缓冲电路,表述正确的是:
    A、di/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压。
    B、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小关断损耗。
    C、关断缓冲电路用于抑制器件的电流过冲和di/dt。
    D、du/dt抑制电路又称为关断缓冲电路,用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt,减小器件的开通损耗。

10、关于晶闸管的串联,表述正确的是:
    A、晶闸管串联使用时,仅需要采取静态均压措施即可。
    B、晶闸管串联均压措施就是选择动态参数和特性尽量一致的器件即可。
    C、晶闸管串联使用时,需要采取静态均压措施和动态均压措施。
    D、晶闸管串联使用时,仅需要采取动态均压措施即可。

11、MOSFET和IGBT并联运行,表述正确的是下面哪一个?
    A、型号相同的MOSFET可以并联运行,而IGBT不可以并联运行。
    B、型号相同的MOSFET可以并联运行,IGBT在通过电流较大时通态压降具有正温度系数,也可以并联使用。
    C、型号相同的MOSFET不可以并联运行,而IGBT可以并联运行。
    D、型号相同的MOSFET和IGBT都不可以并联运行。

12、下面表述正确的是哪一个?
    A、驱动电路对装置的影响有:缩短开关时间、减少损耗,提高装置的运行效率、安全性、可靠性。
    B、器件过电压成因有外因与内因,外因为换相、关断过电压;内因为操作、雷击过电压。
    C、过压保护一般用避雷器即可。
    D、过流保护一般用压敏电阻即可。

13、驱动电路也称为触发电路,是主电路与控制电路之间的接口。

14、GTO关断控制不需要施加负门极电流。

15、晶闸管可控整流电路,通过控制触发角a的大小即控制触发脉冲起始相位使晶闸管的断开,从而控制输出电压大小。

16、同步信号为锯齿波的触发电路有三个基本环节:脉冲的形成与放大、锯齿波的形成和脉冲移相、同步环节。此外,还有强触发和双窄脉冲形成环节等环节。

17、电力电子装置过电压分为外因过电压和内因过电压。外因过电压主要来自雷击和系统操作过程等外因,内因过电压来自电力电子装置内部器件的开关过程。

18、开通缓冲电路(di/dt抑制电路)的作用是抑制器件开通时的电流过冲和di/dt,减小器件的开通损耗。

19、晶闸管的串联使用时,既要避免静态不均压,又要避免动态不均压。

20、电气隔离分为光隔离、磁隔离以及变压器隔离三种。

21、电力电子器件过热的原因在于气温太高,在常温下不需要过热保护。

22、电力电子器件工作过程中会产生热量,一般应采取散热措施。

第2次作业2(第2章)

1、驱动电路的基本任务有哪些?

第3次作业1(第2章)

1、IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

2、电力电子器件过电压保护和过电流保护各有哪些主要方法?

3、电力电子器件过热保护有哪些主要方法?

4、电力电子器件缓冲电路是怎样分类的?全控器件缓冲电路的主要作用是什么?试分析RDC缓冲电路中各元件的作用。

第3章 直流-直流变换技术

第3次测试(第3章)

1、关于PWM控制,表述正确的是下面哪一个?
    A、PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术,即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来获得所需形状的波形。
    B、PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术,即获得一系列宽度相等的脉冲。
    C、PWM控制就是对脉冲的幅值进行调制的技术,即获得一系列宽度相等的脉冲。
    D、PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术,即通过对一系列脉冲的宽度进行调制,来等效地获得所需形状和幅值的波形。

2、如下所述,斩波电路控制方式表述正确的是:
    A、斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制以及占空比控制。
    B、斩波电路有四种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;混合型和占空比控制。
    C、斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);周期数通断比控制;占空比控制。
    D、斩波电路有三种控制方式:脉冲宽度调制(PWM);频率调制;混合型。

3、关于降压斩波电路与升压斩波电路,表述如下,正确的是:
    A、降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流-直流变换的。
    B、降压斩波电路与升压斩波电路是用于直流-直流变换和交流-交流变换的。
    C、降压斩波电路与升压斩波电路是用于交流-交流变换和直流/交流变换的。
    D、降压斩波电路与升压斩波电路是用于交流-直流变换和直流/交流变换的。

4、关于升降压斩波电路和Cuk斩波电路电压极性,表述正确的是:
    A、升降压斩波电路和Cuk斩波电路的输入与输出电压是相同的。
    B、升降压斩波电路和Cuk斩波电路的输入与输出电压极性都是相反的。
    C、升降压斩波电路的输入与输出电压极性是相同的,Cuk斩波电路的输入与输出电压极性都是相反的。
    D、升降压斩波电路和Cuk斩波电路的输入与输出电压是相等的。

5、关于升降压斩波电路、Cuk斩波电路电流,表述如下,正确的是:
    A、Cuk斩波电路和升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,电流脉动小。
    B、升降压斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,电路中的电感有利于对输入、输出电流进行滤波。
    C、Cuk斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,电流脉动小。
    D、Cuk斩波电路的输入电源电流和输出负载电流都是可以连续的,输入输出电流脉动大。

6、电流可逆斩波电路,表述正确的是:
    A、电流可逆斩波电路是降压与升压斩波电路的组合,电枢电流可正可负,故可工作于第1象限和第3象限。
    B、电流可逆斩波电路是降压与升压斩波电路的组合,电枢电流可正可负,故可工作于4个象限。
    C、电流可逆斩波电路是降压与升压斩波电路的组合,电枢电流可正可负,但输出电压是一种极性,故可工作于第1象限、第2象限和第3象限。
    D、电流可逆斩波电路是降压与升压斩波电路的组合,电枢电流可正可负,但输出电压是一种极性,故可工作于第1象限和第2象限。

7、多相多重斩波电路,表述正确的是:
    A、多相多重斩波电路可以由多个结构不同的基本斩波电路组成。相数指的是一周期负载电流脉波数。重数指的是一周期电源侧电流脉波数。
    B、多相多重斩波电路是由多个结构相同基本斩波电路组成。相数指的是一周期电源侧电流脉波数,重数指的是负载电流脉波数。
    C、多相多重斩波电路是由多个结构不同基本斩波电路组成。相数指的是基本斩波电路数量,重数指的是负载数量。
    D、多相多重斩波电路是由多个结构不同基本斩波电路组成。相数指的是基本斩波电路数量,重数指的是单相负载。

8、正激电路变压器的磁芯复位,表述正确的是:
    A、正激电路变压器开关管S开通后,变压器激磁电流增长;开关管S关断后,变压器的磁芯会立刻自动磁复位,没有必要采取专门的磁复位措施或电路。
    B、正激电路变压器开关管S开通后,变压器激磁电流增长;开关管S关断后,必须设法使变压器的磁芯复位,避免变压器激磁电感饱和。
    C、正激电路的开关管S必须一直开通。
    D、正激电路的开关管S必须一直关断。

9、反激电路输出电压,表述正确的是:
    A、开环控制的反激电路,输出电压趋向无穷大,所以应采用闭环控制。
    B、开环控制的反激电路,在负载为零的极限情况下,输出电压趋向于某稳定值,所以输出端可以开路,即负载可以为零。
    C、开环控制的反激电路,在负载为零的极限情况下,输出电压与开通占空比成正比。
    D、开环控制的反激电路,在负载为零的极限情况下,理论上输出电压趋向无穷大,所以应避免开路。

10、隔离型半桥DC-DC变换电路,表述正确的是:
    A、隔离型半桥DC-DC变换电路,其开关管的数量至少大于4个。
    B、隔离型半桥DC-DC变换电路当两个开关导通时间不对称时,变压器一次侧电压存在直流分量,因此容易发生变压器的偏磁和直流磁饱和。
    C、隔离型半桥DC-DC变换电路,电容对变压器一次侧电压的直流分量有自动平衡作用,因此不容易发生变压器的偏磁和直流磁饱和。
    D、隔离型半桥DC-DC变换电路,其开关管的数量至少等于4个。

11、隔离型全桥与推挽DC-DC变换电路输出电压,表述正确的是:
    A、隔离型全桥与推挽DC-DC变换电路输出电压最大值与输入电压之比,小于变压器(副边/原边)匝数的比值,原因在于占空比小于1。
    B、隔离型全桥与推挽DC-DC变换电路输出电压最大值与输入电压之比,等于变压器(副边/原边)匝数之比。
    C、隔离型全桥DC-DC变换电路输出电压最大值与输入电压之比,小于1,原因在于占空比小于1。
    D、隔离型推挽DC-DC变换电路输出电压最大值与输入电压之比,小于1,原因在于占空比小于1。

12、关于隔离型直流-直流变流电路,下面表述正确的是哪一个?
    A、直流-直流变流电路包括直接直流变流电路和间接直流变流电路两类。
    B、正激和反激电路属于单端激励电路,用于大功率场合。
    C、全桥和半桥电路属于双端激励电路,用于小功率场合。
    D、推挽电路属于双端激励电路,用于小功率场合。

13、PWM控制就是对脉冲的幅值进行调制的技术,即通过对一系列脉冲的幅值进行调制,来等效地获得所需要波形。

14、直流-直流(DC-DC)变流电路包括直接直流变流电路和间接直流变流电路,间接直流变流电路也称斩波电路。

15、升压斩波电路属于间接直流变流电路,不是直接直流变流电路。

16、升降压斩波电路输出电压与输入电压极性相反。

17、库克斩波电路有一个明显的优点,其输入电源电流和输出负载电流都是连续的,且脉动很小,有利于对输入、输出进行滤波。

18、复合斩波电路是全部由结构相同的降压斩波电路或升压斩波电路等组合构成。

19、多相多重斩波电路是由相同结构的基本斩波电路组合构成。

20、间接直流变流电路通过变压器实现电气隔离,中间有交流环节,因此也称直—交—直电路。

21、隔离型单端反激DC-DC变流电路无负载时,即输出侧开路,同样可以保证输出电压恒定。

22、隔离型半桥DC-DC变流电路中的2个开关管承受峰值电压均等于输入直流电压值的二分之一。

23、隔离型全桥DC-DC变流电路中的4个开关管承受峰值电压均等于输入直流电压值的两倍。

24、隔离型推挽直流-直流变流电路2个开关管承受峰值电压均为输入直流电压值的2倍。

25、采用二极管构成的全波整流电路的优点有:只有一个二极管压降,损耗小,电路只需要2个二极管,元件数较少。

26、单端正激DC-DC变换电路的特点有电路结构较简单,成本低,可靠性高,驱动电路简单,适用于大功率场合。

第3次作业2(第3章)

1、

2、

3、

第4次作业

1、

2、

3、

4、

5、

第5次作业

1、试分析全桥,半桥和推挽电路中的开关和整流二极管在工作时承受的最大电压,输入输出电压关系。

第4章 直流-交流变换技术

第4次测试(第4章)

1、关于器件换流,下面表述正确的是哪一个?
    A、二极管从正向导通到反向截止也属于器件换流。
    B、GTO、SCR等可控器件的关断都是属于器件换流。
    C、IGBT、MOSFET等全控型器件的关断从而使电流通路转移到另一支路,属于器件换流。
    D、二极管从反向截止到正向导通也属于器件换流。

2、关于单相电压型逆变电路,下面表述正确的是哪一个?
    A、单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变占空比就可调节输出电压的峰值。
    B、单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变占空比就可调节输出电压的有效值。
    C、单相电压型逆变电路的移相调压方式,改变占空比不能调节输出电压的有效值。
    D、单相电压型逆变电路的移相调压方式,只要改变滞后角q就可调节输出电压的有效值。

3、关于计算法和调制法,下面表述正确的是:
    A、PWM计算法就是PWM调制法。
    B、PWM计算法相当于单极性PWM控制方式,PWM调制法相当于双极性PWM控制方式。
    C、PWM调制法分为:单极性PWM控制方式和双极性PWM控制方式。
    D、PWM计算法与PWM调制法的计算量是一样的。

4、关于PWM异步调制,表述正确的是:
    A、只要载波比N是不变的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变,信号波频率fr是变化的。
    B、异步调制指的是,载波频率fc、信号波频率fr都是变化的,载波比N是不变的。
    C、载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc是变化的,信号波频率fr也是变化的,载波比N却是不会变化的。
    D、载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。通常载波频率fc固定不变,信号波频率fr变化时,载波比N是变化的。

5、关于规则采样法与自然采样法,如下所述,表述正确的是:
    A、用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法比规则采样法更容易实现,计算量少。
    B、用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,规则采样法比自然采样法更容易实现。
    C、用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法与规则采样法是一样的,只是称谓不同而已。
    D、用计算机实现三相桥式逆变电路PWM控制时,自然采样法与规则采样法是一样的,称谓不同是电路的结构不同造成的。

6、关于滞环比较方式,如下所述,表述正确的是:
    A、滞环比较方式环宽过宽时,则频率低,误差大。
    B、滞环比较方式环宽过窄时,则频率低,误差大,器件开关损耗小。
    C、滞环比较方式,环宽大小与误差、频率、开关损耗无关,仅与给定电压大小有关。
    D、滞环比较方式,环宽大小与误差、频率、开关损耗无关,仅与给定电压频率有关。

7、关于PWM跟踪控制技术中的三角波比较方式,如下所述,正确的是:
    A、三角波比较方式可以使开关频率固定。
    B、三角波比较方式的开关频率与滞环环宽的大小有关。
    C、三角波比较方式的开关频率与误差大小有关。
    D、三角波比较方式的开关频率与误差放大器的放大倍数有关。

8、关于三相电压型逆变电路输出电压波形,表述正确的是:
    A、三相电压型逆变电路负载相电压波形是3电平方波。
    B、三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波,线电压波形是3电平方波。
    C、三相电压型逆变电路负载线电压波形是5电平方波。
    D、三相电压型逆变电路负载相电压波形是5电平阶梯波,线电压波形是5电平方波或7电平方波。

9、关于三相电压型逆变电路负载中点电平,下面表述正确的是哪一个?
    A、三相电压型逆变电路负载中点电位相对于电源负端来说是固定的。
    B、三相电压型逆变电路负载中点电位相对于直流侧中点电位来说等于0V。
    C、三相电压型逆变电路负载中点电位相对于电源负端来说等于0V。
    D、三相电压型逆变电路负载中点电位相对于直流侧中点或电源负端电位来说是浮动的。

10、换流指的是电流从一个支路向另一个支路转移的过程,也称为换相。

11、电压型逆变电路的直流侧是电压源或串联大电感L,电流基本无脉动。

12、全桥逆变电路移相调压方式改变滞后角就可调节输出电压。

13、PWM控制的计算法是很繁琐的,但还是被广泛采用。

14、单极性PWM控制方式所输出的PWM波在正半周>=0,在负半周<=0。

15、载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制,异步调制时,其载波比N是不变的。

16、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制功率开关器件的通断,这种方法称为自然采样法。

17、跟踪控制方法指的是:电流或电压波形为指令信号,把实际值作为反馈信号。通过两者瞬时值比较来决定器件的通断,使实际输出跟踪指令信号变化。

18、不考虑死区时间影响时,三相电压型逆变电路基本工作方式180°导电方式时,任一瞬间三个开关管同时导通。同一相上下两臂交替导电,这种换流方式也称为纵向换流。

第6次作业

1、无源逆变电路和有源逆变电路有何不同?

2、换流方式有哪几种?各有什么特点?

3、

第7次作业

1、

2、

3、

第8次作业

1、

2、三相SPWM逆变电路采用什么样的控制方法可以提高直流电压利用率?【-6分】

第5章 交流-直流变换技术

第5次测试(第5章)

1、关于控制角,表述正确的是下面的哪一个?
    A、从SCR承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发延迟角,也称触发角或控制角。
    B、晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度称为控制角。
    C、晶闸管的控制角也称为导通角。
    D、晶闸管的控制角等于导通角加30度。

2、关于单相桥式全控整流电路,如下表述正确的是:
    A、单相桥式全控整流电路简单,但是,整流变压器存在直流磁化现象。
    B、单相桥式全控整流电路中的整流变压器不存在直流磁化现象。
    C、单相桥式全控整流电路简单,在电阻性负载时,整流变压器存在直流磁化现象。
    D、单相桥式全控整流电路简单,在电感性负载时,整流变压器存在直流磁化现象。

3、关于单相桥式全控整流电路输出波形,表述正确的是:
    A、单相桥式全控整流电路输出电压波形与负载无关。
    B、单相桥式全控整流电路阻感负载与反电动势阻感负载时,如果控制角相等,输出电流是一样的。
    C、单相桥式全控整流电路,分别带感负载与反电动势阻感负载运行时,如果控制角相等,电流连续,输出电压波形、电流波形、电流大小都是一样的。
    D、单相桥式全控整流电路阻,分别带感负载与反电动势阻感负载运行时,如果控制角相等、电流连续,输出电压波形是一样的。

4、关于单相全波整流电路,表述正确的是:
    A、单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的2倍。
    B、单相全波整流电路只用2个晶闸管;但是,当负载相同时,通过晶闸管的最大电流是单相全控桥整流电路的2倍。
    C、单相全波与单相全控桥整流电路中,各晶闸管承受的最大电压相等。
    D、单相全波与单相全控桥整流电路中,各晶闸管承受的电压波形相同。

5、单相全波整流电路输出波形,如下表述正确的是:
    A、如果控制角相等、负载相同,单相全波整流电路的输出整流电压波形与单相全控整流电路一样,输出电流波形不一样。
    B、如果控制角相等、负载相同,单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路都是不一样的。
    C、如果控制角相等、负载相同,单相全波整流电路的输出整流电流波形与单相全控整流电路一样,输出电压波形不一样。
    D、如果控制角相等、负载相同,单相全波整流电路的输出整流电压和电流波形与单相全控整流电路一样。

6、三相可控整流电路中的整流变压器,表述正确的是:
    A、三相可控整流电路中的整流变压器一般采用△/Y或Y/ △接法,避免产生3次谐波,如果为了得到零线,则采用△/Y接法。
    B、三相可控整流电路中的整流变压器一般采用Y/Y或△/△接法,避免产生3次谐波,如果为了得到零线,则采用Y/Y接法或采用△/Y接法。
    C、三相可控整流电路中的整流变压器只能采用Y/Y。
    D、三相可控整流电路中的整流变压器只能采用△/△。

7、三相半波可控整流电路的输出电流波形,表述正确的是:
    A、电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<90° 且电阻较小时,输出电流处于都连续状态。
    B、电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<60° 时无输出电流。
    C、电阻性负载的三相半波可控整流电路只有在a<30° 时输出电流处于都连续状态。
    D、电阻性负载的三相半波可控整流电路输出电流处于都连续状态。

8、三相桥式全控整流电路输出电流波形,表述正确的是:
    A、电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<30° 且电阻较小时,输出电流都处于连续状态。
    B、电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<60° 时输出电流都处于连续状态。
    C、电阻性负载的三相桥式全控整流电路只有在a<90° 时无输出电流。
    D、电阻性负载的三相桥式全控整流电路输出电流都处于连续状态。

9、三相桥式全控整流电路导通晶闸管数量(不考虑漏感),下面表述正确的是哪一个?
    A、三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,共阴极组的2个或共阳极组的2个导通。
    B、三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,共阴极组的和共阳极组的各1个,且不能为同一相的晶闸管。
    C、三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。
    D、三相桥式全控整流电路每个时刻仅需1个晶闸管导通。

10、三相桥式全控整流电路波头数,下面表述正确的是哪一个?
    A、三相桥式全控整流电路,在一个工频周期内,其输出电压波形为6个波头。
    B、三相桥式全控整流电路输出电压波形为3个波头。
    C、三相桥式全控整流电路输出电压波形在一个工频周期内为1个波头。
    D、三相桥式全控整流电路输出电压波形在一个工频周期内为4个波头。

11、三相桥式全控整流电路带阻感负载时移相范围为:
    A、三相桥式全控整流电路带阻感负载时控制角a移相范围为180°。
    B、三相桥式全控整流电路带电阻负载时控制角a移相范围为90°。
    C、三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感极大时,控制角a移相范围为90°。
    D、三相桥式全控整流电路带电阻负载或带阻感负载时。其控制角a移相范围都为90°。

12、变压器漏感对整流输出电压值的影响是:
    A、变压器漏感使整流输出电压平均值升高。
    B、变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流输出电压平均值降低。
    C、变压器漏感对整流电路的影响之一是波形变化了,但整流输出电压平均值不变。
    D、变压器漏感对整流输出电压平均值无影响。

13、关于变压器漏感影响工作状态,如下表述正确的是:
    A、变压器漏感对整流电路的影响之一是使整流电路的工作状态增多。
    B、变压器漏感对整流电路输出电压平均值有影响,但不影响整流电路的工作状态。
    C、变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值,也不影响整流电路的工作状态。
    D、变压器漏感既不影响整流电路输出电压平均值,但它影响了整流电路的工作状态。

14、有源逆变时的直流电动势,表述正确的是哪一个?
    A、要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性须和晶闸管的导通方向一致。
    B、要有直流电动势,其值应大于变流器直流侧的平均电压,其极性没有特别的规定。
    C、要有直流电动势,其值应小于变流器直流侧的平均电压。
    D、要有直流电动势,其值应等于变流器直流侧的平均电压。

15、关于逆变角,如下表述正确的是:
    A、限制逆变角的最小值,其目的是为了防止逆变时的输出电流过小。
    B、限制逆变角的最大值,其目的是为了防止逆变失败而无法工作。
    C、限制逆变角的最小值,其目的是为了防止输出电压太小而无法工作。
    D、限制逆变角的最小值,其目的是为了防止逆变失败。

16、关于触发电路的定相,表述正确的是下面哪一个?
    A、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,触发电路的定相指的是确定每相触发电路的频率。
    B、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,则触发电路定相的关键是确定同步信号数量。
    C、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,则触发电路定相的关键是确定同步信号与晶闸管阳极电压的相位关系。
    D、晶闸管可控整流电路若采用同步信号为锯齿波的触发电路,触发电路的定相指的是确定输入电压相数。

17、关于PWM整流电路,表述正确的是下面哪一个?
    A、PWM整流电路只能使输入电源的功率因数近似为1。
    B、可以通过对PWM整流电路的适当控制,使输入电流接近正弦波,且和输入电压同相位,功率因数近似为1。
    C、PWM整流电路只能工作于整流状态。
    D、PWM整流电路只能工作于逆变状态。

18、关于CCM模式单相APFC的PWM整流电路,表述正确的是下面哪一个?
    A、常用的控制方法有2种:峰值电流控制、电流滞环控制,峰值电流控制方法性能好,应用较多。
    B、常用的控制方法有2种:峰值电流控制、电流滞环控制,电流滞环控制方法性能好,应用较多。
    C、常用的控制方法有3种:峰值电流控制、电流滞环控制、平均电流控制,平均电流控制方法性能好,应用较多。
    D、常用的控制方法只有1种,即峰值电流控制。

19、整流电路(Rectifier)的作用是将交流电能变为直流电能供给直流用电设备。

20、电阻负载时的单相桥式可控整流电路,负载电压波形与电流波形的形状是反相的。

21、阻感负载时的单相桥式可控整流电路,当负载电感很大时,负载电流波动随之增大。

22、反电动势负载时的单相桥式可控整流电路,若电感量足够大使电流连续,则晶闸管每次导通90°。

23、单相全波整流电路仅需要2个晶闸管。

24、当整流负载容量较大,或要求直流电压脉动较小、易滤波时,应采用多相整流电路。

25、阻感负载时的三相半波可控整流电路,当控制角a≤90°时,整流电压波形与电阻负载时的整流电压波形相同。

26、三相桥式全控整流电路有6个晶闸管,其中3个晶闸管阴极连接在一起的称为共阴极组;另3个晶闸管阳极连接在一起的称为共阳极组。

27、电阻负载时的三相桥式全控整流电路,当控制角a=90°,负载电流是连续的。

28、三相桥式全控整流电路每个时刻均需2个晶闸管同时导通,同一相的共阴极组和共阳极组各1个晶闸管导通。

29、阻感负载时的三相桥式全控整流电路,当控制角a≤90°时,负载电压波形与带电阻负载时负载电压波形一样。

30、变压器绕组总有漏感,漏感对电流的变化起阻碍作用,电感电流不能突变,因此换相过程不能瞬间完成,而是会持续一段时间。

31、变压器漏感使整流电路输出电压较小。

32、变流电路交流侧不与电网联接,而直接接到负载,即把直流电逆变为交流电直接供给负载,称为无源逆变。

33、三相桥整流电路的有源逆变工作状态时,逆变角b等于180度加上控制角a。

34、逆变运行时,当逆变角b太小时,换相的裕量角不足,就会引起换相失败。

35、触发电路的定相指的是:触发电路应保证每个晶闸管触发脉冲与施加于晶闸管的交流电压保持固定、正确的相位关系。

36、三相或单相PWM整流电路,通过适当控制,可以使输入电流接近正弦波,但功率因数很小,一般为0.5。

37、三相PWM整流电路的工作原理相当于对3个半桥分别进行控制,使三相输入电流幅值可以完全相同,三相输入电流相位也是相同的。

38、采用有源功率因数校正(简称APFC)技术,可以提高电力电子装置网侧功率因数。

第9次作业

1、

2、

第10次作业

1、

2、

3、

第11次作业

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3、

4、

5、

第6章 交流-交流变换技术

第12次作业

1、

2、

第7章 软开关技术

第13次作业

1、

2、

第8章 电力电子技术在清洁能源系统中的应用

第6次测试(第678章)

1、单相交流调压电路的输出电压,如下表述正确的是:
    A、晶闸管单相交流调压电路对晶闸管控制角a进行控制,调节输出电压。
    B、晶闸管单相交流调压电路对晶闸管的导通与关断周期数进行控制,调节输出电压。
    C、晶闸管单相交流调压电路仅对晶闸管的导通周期数进行控制,调节输出电压与电流。
    D、晶闸管单相交流调压电路仅对晶闸管的导通周期数进行控制,调节输出电压与电流以及功率因数。

2、斩控式交流调压电路的输入电流,表述正确的是:
    A、斩控式交流调压电路的电源电流的基波和电源电压是相同的。
    B、斩控式交流调压电路的电源电流的基波分量是和电源电压同相位的,高次谐波可滤除,电路的功率因数与电阻性负载的电阻大小有关。
    C、斩控式交流调压电路的电源电流的谐波分量很大。
    D、斩控式交流调压电路的电源电流的基波分量和电源电压基本上是同相位的,高次谐波可滤除,电路的功率因数接近1。

3、关于交流调功电路,表述正确的是:
    A、交流调功电路在交流电源接通期间,负载电压电流都是正弦波,故该电路在通断工作时,既没有谐波电流,也没有谐波电压。
    B、交流调功电路是通过改变控制角来调节负载所消耗的平均功率。
    C、交流调功电路是通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。
    D、交流调功电路是通过改变控制角来调节负载电压。

4、关于软开关技术作用,表述正确的是下面哪一个?
    A、应用软开关技术可以降低开关损耗,由于无法消除电压、电流的重叠,不能提高开关频率。
    B、应用软开关技术可以降低开关损耗和开关噪声,在损耗允许的情况下也可以使开关频率大幅度提高。
    C、应用软开关技术可以降低开关损耗,但其开关损耗大于硬开关开关损耗的1/2。
    D、应用软开关技术可以降低开关损耗,但其开关损耗大于硬开关开关损耗的1/3。

5、关于软开关技术分类,如下表述正确的是:
    A、软开关技术总的来说可以分为软开关技术和硬开关技术两类。
    B、软开关技术总的来说可以分为高电压和大电流、或低电压和小电流两类。
    C、软开关技术总的来说可分为零电压和零电流两类。
    D、软开关技术总的来说可以分为零电压和非零电压两大类。

6、关于降压型零电压开关准谐振电路开关管开通,表述正确的是下面哪一个?
    A、降压型零电压开关准谐振电路开关管在任何时刻开通都能实现零电压开通。
    B、降压型零电压开关准谐振电路开关管在一定的时间范围之内开通才能实现零电压开通。
    C、降压型零电压开关准谐振电路不能实现软开关。
    D、降压型零电压开关准谐振电路实现软开关的条件无法成立。

7、关于降压型零电压开关准谐振电路开关管耐压,表述正确的是下面哪一个?
    A、降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值低于输入电压的2倍。
    B、降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值与输入电压相等。
    C、降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值低于输入电压的1/2。
    D、降压型零电压开关准谐振电路,谐振电压峰值高于输入电压的2倍,增加了对开关器件耐压的要求。

8、可再生能源可分为持续性和间歇性能源,如下表述正确的是:
    A、热电厂、水电厂、生物燃料厂和光伏系统所产生的能源代表典型的持续性能源。
    B、间歇性能源包括风能和太阳能。
    C、间歇性能源包括风能、太阳能和生物燃料厂所产生的能源。
    D、热电厂、水电厂、生物燃料厂所产生的能源代表典型的间歇性能源。

9、电力电子变换器在可再生能源应用中所起的作用,如下表述正确的是:
    A、相比于在间歇性能源中的作用,电力电子变换器在持续性能源系统中的作用更大。
    B、电力电子变换器在间歇性能源系统中有很大的作用。
    C、电力电子变换器在间歇性能源系统中的作用有限,几乎可以忽略不计。
    D、即使没有电力电子变换器,光伏系统也可以以在最大功率点附近输出能量。

10、交流-交流变流电路是把一种形式的交流变成另一种形式交流的电路。

11、斩控式交流调压电路电阻负载时,电源电流的基波分量是和电源电压同相位的,高次谐波可滤除,电路的功率因数接近1。

12、交流调功电路是通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均电流。

13、电力电子电路的高频化可以减小滤波器、变压器的重量,使电力电子装置轻量化,但无法减小其体积。

14、降压型零电压开关准谐振电路,由于开关管两端并联电容,开关管断开过程中,两端电压Ucr是逐渐升高的,开关管断开瞬间两端电压是接近于零的。

15、零电压开关准谐振电路在开关管闭合过程中,其电压是接近于零的。

201912电力电子技术试卷

1、什么是电力电子技术?
    A、用于电力领域的电子技术,即应用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
    B、用于电力领域和信息领域的电子技术的总称。
    C、用于电气领域和信息领域的电子技术的总称。
    D、电力电子技术的简称就是电子技术。

2、下面对晶闸管额定电流表述正确的是哪个?
    A、允许流过最大工频正弦半波电流有效值。
    B、允许流过最大方波电流的平均值。
    C、允许流过最大的工频正弦半波电流的平均值。
    D、允许流过最大电流的平均值。

3、GTR典型输出特性分为:
    A、典型输出特性分三个区:截止区、放大区和非饱和区。
    B、典型输出特性分三个区:截止区、放大区和饱和区。
    C、典型输出特性分三个区:截止区、线性区和非饱和区。
    D、典型输出特性分三个区:截止区、非线性区和饱和区。

4、有关MOSFET的通态电阻,下面表述正确的是:
    A、MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流不利。
    B、MOSFET的通态电阻具有负温度系数,不能并联使用。
    C、MOSFET的通态电阻具有负温度系数,对器件并联时的均流有利。
    D、MOSFET的通态电阻具有正温度系数,此特性对器件并联时的均流有利。

5、有关新型半导体器件,下面表述正确的是:
    A、集成门极换流晶闸管简称IGCT。
    B、金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。
    C、绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
    D、半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。

6、关于晶闸管相控驱动电路,下面表述正确的是:
    A、相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同,两者相位关系则随外加控制信号的变化而变化。
    B、相控驱动电路要有同步环节,同步信号频率与主电路电源的频率相同且相位关系确定。
    C、相控驱动电路都不需要同步环节,外加控制电压大小可以确定控制相位。
    D、相控驱动电路都不需要同步环节,外加控制电压大小基本可以确定控制相位。

7、关于电力电子装置过电压,下面表述正确的是:
    A、电力电子装置过电压分为操作过电压、雷击过电压、换相过电压、静态过电压4类。
    B、雷击过电压是由电力电子装置外部产生的,不需要采取措施进行保护。
    C、电力电子装置过电压分为外因过电压、操作过电压、雷击过电压、换相过电压、关断过电压5类。
    D、需采取措施对电力电子装置进行过电压保护。

8、多相多重斩波电路,下面表述正确的是:
    A、多相多重斩波电路可以由多个结构不同的基本斩波电路组成。相数指的是一周期负载电流脉波数。重数指的是一周期电源侧电流脉波数。
    B、多相多重斩波电路是由多个结构相同基本斩波电路组成。相数指的是一周期电源侧电流脉波数,重数指的是负载电流脉波数。
    C、多相多重斩波电路是由多个结构不同基本斩波电路组成。相数指的是基本斩波电路数量,重数指的是负载数量。
    D、多相多重斩波电路是由多个结构不同基本斩波电路组成。相数指的是基本斩波电路数量,重数指的是单相负载。

9、关于滞环比较方式,下面表述正确的是:
    A、滞环比较方式,环宽大小与误差、频率、开关损耗无关,仅与给定电压频率有关。
    B、滞环比较方式环宽过窄时,则频率低,误差大,器件开关损耗小。
    C、滞环比较方式,环宽大小与误差、频率、开关损耗无关,仅与给定电压大小有关。
    D、滞环比较方式环宽过宽时,则频率低,误差大。

10、关于交流调功电路,下面表述正确的是:
    A、交流调功电路在交流电源接通期间,负载电压电流都是正弦波,故该电路在通断工作时,既没有谐波电流,也没有谐波电压。
    B、交流调功电路是通过改变控制角来调节负载所消耗的平均功率。
    C、交流调功电路是通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。
    D、交流调功电路是通过改变控制角来调节负载电压。

11、
    A、电容器Cr电压ucr波形是正确的。
    B、开关管VT上的电压uDS波形是正确的。
    C、电容器Cr电压ucr波形是错误的。
    D、开关管VT上的电压uDS波形是错误的。

12、
    A、S开通后,VD1处于断态,W1绕组的电流线性增长,电感储能增加。
    B、S开通后,VD1处于通态,W1绕组的电流是增长的。
    C、S开通后,开关S承受的最大电压约为0。
    D、S断开后,开关S承受的最大电压为Ui。

13、
    A、在0→t1时间段内,VD2有电流流过。
    B、在t1→t2时间段内,VD2有电流流过。
    C、在t2→t3时间段内,VT1有电流流过。
    D、在t3→t4时间段内,VT1有电流流过。

14、
    A、负载电流id波形、相电流ia波形是正确的。
    B、负载电压ud波形、相电流ia波形是正确的。
    C、负载电压ud波形、负载电流id波形是正确的。
    D、负载电流id波形是正确的、相电流ia波形是错误的。

15、
    A、电感L上的电压波形c)图是正确的。
    B、通过开关管VT的电流波形d)图是正确的。
    C、电感L上的电压波形c)图是错误的。
    D、通过开关管VT的电流波形d)图是错误的。

16、信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。

17、电力晶体管也称为GTR,与普通的双极结型晶体管相比,耐压低但电流大。

18、绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域:正向阻断区、有源区和饱和区。

19、电气隔离分为光隔离、磁隔离以及变压器隔离三种。

20、电力电子器件工作过程中会产生热量,一般应采取散热措施。

21、晶闸管的串联使用时,既要避免静态不均压,又要避免动态不均压。

22、升降压斩波电路输出电压与输入电压极性相反。

23、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制功率开关器件的通断,这种方法称为规则采样法。

24、通过对PWM整流电路的适当控制,可以使输入电流接近正弦波,但功率因数很小,一般为0.5。

25、交流调功电路是通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率。

26、某Boost斩波电路,输出端电容很大,开关频率设为50kHz,输入电压在12~24V 范围内变化。要求通过调整导通占空比使输出电压等于36V,最大输出功率为72W。如果滤波电容为1000µF,该电路稳定运行时的导通占空比最大值为:

27、按上题的电路与数据,该电路工作在电流连续状态下,在导通占空比最小值时,可能使用的最小电感为多少微亨;

28、按上2题的电路与数据,输出最大电压纹波ΔUO为多少伏:

29、

30、按上题的电路与数据,变压器副边与原边的匝数比N2/N1为多少:

31、按上2题的电路与数据,当开关管关断期间,变压器副边电流变化量ΔI2=2A时,原边电感L1为多少微亨:

32、按上3题的电路与数据,开关管承受的最大电压为多少伏:

33、

34、按上题的电路与数据,输出电压的基波有效值UO1为多少伏:

35、

36、

37、按上题的电路与数据,平均电流Id是多少安培:

38、按上2题的电路与数据,晶闸管平均电流IdT是多少安培:

39、按上3题的电路与数据,晶闸管电流有效值IT是多少安培:

40、按上4题的电路与数据,变压器二次侧电流有效值I2是多少安培: