第1章 绪 论

绪论测验题

1、当输入信号频率为fL或fH时,放大电路增益的幅值约下降为通带内水平增益的 。
    A、0.5倍
    B、0.7倍
    C、0.9倍
    D、1倍

2、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kW的负载电阻后,输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为 。
    A、10 kW
    B、2 kW
    C、1kW
    D、0.5kW

3、已知某信号源内阻为1kW,未接放大电路时测得信号源电压为10mV,接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV,说明放大电路的输入电阻为 。
    A、5 kW
    B、4 kW
    C、2kW
    D、1kW

4、已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是-10V~+10V,若放大电路的通带电压增益是40dB,则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。
    A、-0.1V~+0.1V
    B、-0.25V~+0.25V
    C、-0.5V~+0.5V
    D、-1.0V~+1.0V

5、信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。

6、只要放大电路的传输特性曲线是线性的,就不会出现失真现象。

7、用放大电路放大正弦波信号时,只有可能出现非线性失真,不可能出现频率失真。

8、放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。

9、放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”。

10、放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。

11、同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时,实际的放大能力常常是不同的。

12、放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。

第2章 运算放大器

运算放大器测验题

1、理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。
    A、0,∞,∞
    B、∞,0,∞
    C、∞,0,0
    D、∞,∞,0

2、放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而 放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
    A、同相,反相
    B、反相,同相
    C、同相,同相
    D、反相,反相

3、欲将方波电压转换为三角波电压,应选用 。
    A、反相输入式放大电路
    B、同相输入式放大电路
    C、积分运算电路
    D、微分运算电路
    E、加法运算电路

4、欲将方波电压转换为尖脉冲电压,应选用 。
    A、反相输入式放大电路
    B、同相输入式放大电路
    C、积分运算电路
    D、微分运算电路
    E、加法运算电路

5、欲将输入电压信号放大-100倍,应选用 。
    A、反相输入式放大电路
    B、同相输入式放大电路
    C、积分运算电路
    D、微分运算电路
    E、同相加法运算电路

6、电路如图8所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)Av = vO/vI = ,Ri = ;图(b)Av = vO/vI = ,Ri = 。
    A、图(a)Av =11,Ri =1 kΩ;图(b)Av=1;Ri =1 kΩ
    B、图(a)Av = -10,Ri =1 kΩ;图(b)Av=1;Ri =1 kΩ
    C、图(a)Av = 11,Ri =1 kΩ;图(b)Av=1;Ri =∞
    D、图(a)Av = -10,Ri =1 kΩ;图(b)Av=1;Ri =∞

7、电路如图9所示,假设运算放大器为理想的,那么vO = f(vI) = 。
    A、
    B、
    C、
    D、

8、理想运算放大器构成的电路如图10所示, = 。
    A、
    B、
    C、
    D、

9、加减法运算电路如图11所示,设运算放大器是理想的,则输出电压和输入电压的关系式为 。
    A、
    B、
    C、
    D、

10、电路如图12所示,假设运算放大器均为理想的,则= 。
    A、
    B、
    C、
    D、

11、电路如图13所示,开关S闭合时电路增益 = ;开关S断开时电路增益 = 。
    A、
    B、
    C、
    D、

12、在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。

13、在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。

14、集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。

15、放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断。

16、电压跟随器的电压增益为1,所以其对信号放大没有贡献。

第3章 二极管及其基本电路

二极管及其基本电路测验题

1、半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
    A、自由电子
    B、共价键中价电子
    C、正离子
    D、负离子

2、N型半导体中的多数载流子是 ,而P型半导体中的多数载流子是 。
    A、自由电子,空穴
    B、空穴,自由电子
    C、自由电子,正离子
    D、空穴,负离子
    E、空穴,正离子
    F、自由电子,负离子

3、PN结内电场方向是由 。
    A、N区指向P区
    B、P区指向N区
    C、不确定
    D、与外加电压有关

4、PN结正偏是指 。
    A、N区电位高于P区
    B、P区电位高于N区
    C、P区和N区电位相等
    D、与外加电压无关

5、二极管正偏时应重点关注 ,反偏时应重点关注 。
    A、导通电流和耗散功率,最大反向电压
    B、最高工作频率,最大反向电压
    C、最高工作频率,导通电流和耗散功率
    D、结电容,最高工作频率
    E、最大反向电压,结电容

6、齐纳二极管正常稳压时,工作在 状态。
    A、正向导通
    B、反向截止
    C、反向击穿
    D、放大

7、点亮发光二极管应加 ,光电二极管正常工作时应加 ,变容二极管正常工作时应加 。
    A、正偏电压,反偏电压,反偏电压
    B、正偏电压,反偏电压,零偏压
    C、反偏电压,正偏电压,正偏电压
    D、反偏电压,正偏电压,反偏电压
    E、正偏电压,正偏电压,反偏电压

8、已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 mA,那么,此时二极管在室温(300K)下的小信号模型参数rd = 。
    A、19.2 kΩ
    B、1 kΩ
    C、52 kΩ
    D、52 Ω

9、设简单硅二极管基本电路如图所示,已知R = 1kW。当VDD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为 和 ;当VDD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为 和 。
    A、10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA
    B、10mA,1mA;9.3mA,3mA
    C、1mA,0.93mA;0.1mA,0.03mA
    D、10mA,0.93mA;1mA,0.03mA

10、12V电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24V的正弦波,则二极管流过的峰值电流为 ,二极管两端的最大反向电压为 。
    A、240mA,24V
    B、120mA,12V
    C、120mA,36V
    D、360mA,36V

11、电路如图所示,若vs是有效值为220V的正弦波电压,RL = 100W,二极管采用理想模型分析,则二极管的最高反向工作电压为 ,整流电流应为 。
    A、220V,0.99A
    B、220V,2.2A
    C、
    D、

12、电路如图所示,D1,D2为硅二极管,当vs = 6sinwt V时,用恒压降模型分析电路时,输出电压vO的波形是 。
    A、
    B、
    C、
    D、

13、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析,在vI1和vI2电压的不同组合情况下,输出电压vO的值是 。
    A、vO的a列
    B、vO的b列
    C、vO的c列
    D、vO的d列

14、电路如图所示,D为硅二极管,若VDD = 2 V,R = 1 kW,正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态(即vs= 0)时,二极管中的静态电流为 ,vO的静态电压 ;动态时,vO的交流电压振幅为 。
    A、2mA,2V;0.05V
    B、1.3mA,1.3V;0.05V
    C、2mA,2V;0.049V
    D、1.3mA,1.3V;0.049V

15、稳压电路如图所示。若VI =10V,R =100W,齐纳二极管的VZ =5V,IZ(min)=5mA,IZ(max)=50mA,那么负载RL的变化范围是 。
    A、大于111W
    B、小于111W
    C、大于111kW
    D、小于111kW

16、半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

17、对于实际的二极管,只要正偏电压大于零,二极管就导通。

18、二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。

19、通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

20、在使用齐纳二极管时,必须加限流电阻。

第4章 场效应管及其放大电路

场效应管及其放大电路测验题

1、场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小,因此它是_______控制器件。
    A、电流,电场
    B、电场,电压
    C、电流,电压
    D、电压,电流

2、N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
    A、空穴
    B、电子
    C、电子和空穴
    D、正离子
    E、负离子

3、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。
    A、正值
    B、负值
    C、零值
    D、不确定的

4、一个MOS场效应管的转移特性如图所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向),它是_______场效应管。
    A、N沟道耗尽型
    B、N沟道增强型
    C、P沟道增强型
    D、P沟道耗尽型

5、在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中,_______放大电路电压增益小于1但接近于1,输入输出电压同相,有电压跟随作用;_______放大电路电压增益较高,输入输出电压反相;________放大电路输入输出电压同相,有电流跟随作用;________放大电路输出电阻小;_______放大电路输入电阻小。
    A、共漏,共源,共栅,共漏,共栅
    B、共源,共漏,共栅,共漏,共栅
    C、共漏,共栅,共源,共漏,共栅
    D、共漏,共栅,共漏,共源,共栅

6、用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时,A和B的输出电压相等;当都接入负载电阻RL时,测得A的输出电压小于B的输出电压,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。
    A、大
    B、小
    C、相等
    D、不能确定

7、在图示电路中,已知各MOS管的çVT ç=0.5V,MOS管处于截止状态的电路是_______。
    A、图(a)
    B、图(b)
    C、图(c)
    D、图(a)和图(b)
    E、图(b)和图(c)
    F、图(a)和图(c)

8、当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流。
    A、N沟道耗尽型
    B、N沟道增强型
    C、P沟道耗尽型
    D、P沟道增强型

9、试分析图示各电路,能正常放大交流信号的电路是________(设各电容对交流信号的容抗可忽略)。
    A、图(a)
    B、图(b)
    C、图(c)
    D、图(d)

10、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为_______。
    A、图(b)
    B、图(c)
    C、图(d)
    D、图(b)和图(d)

11、已知电路参数如图(a)所示,FET工作点上的互导gm=1mA/V,设rds>>Rd,则该电路的小信号等效电路是_______,电压增益为_______,输入电阻为_______。
    A、图(c),-10,2075 kW
    B、图(b),-3.3,2075 kW
    C、图(b),-10,2075 kW
    D、图(c),-3.3,2075 kW

12、电路如图所示。设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。场效应管的VT=0.8V,Kn=1,l = 0。则场效应管的gm » _______,电路的小信号电压增益约为 _______ 。
    A、1.42 mA/V,12.78
    B、3.02 mA/V,-27.2
    C、1.42 mA/V,-12.78
    D、3.02 mA/V,-12.78

13、源极跟随器电路如图所示,场效应管参数为Kn=1,VTN=1.2/V,l=0。电路参数为VDD=VSS=5V,Rg=500kΩ,RL=4kΩ。若电流源I=1mA,则小信号电压增益约为________,输出电阻约为________。
    A、8,0.5kW
    B、0.89,0.5kW
    C、0.89,2W
    D、1,2W

14、图示电路参数为I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rg=100 kΩ,Rd=10kΩ, Rsi=1kΩ。场效应管参数为VTN=1V,Kn=0.5,λ=0。那么电路的输入电阻约为________,源电压增益Aυs=υo/υs =_________,输出电阻约为________。
    A、2 kW,5,10kW
    B、0.5kW,-5,10kW
    C、1 kW,-5,10kW
    D、1 kW,5,10kW

15、放大电路的静态是指输入端短路时的状态。

16、小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量,因此,不能用小信号模型来求静态工作点Q,模型参数大小也与Q点位置无关。

17、在组合放大电路中,它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻,而放大电路的输出电阻等于最后一级(输出级)的输出电阻。

18、MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。

19、作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

20、MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

21、增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。

22、场效应管仅靠一种载流子导电。

23、设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。

24、设MOS管的VPN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。

25、设MOS管的VTP=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=-3V,VGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。

第5章 双极结型三极管及其放大电路

双极结型三极管及其放大电路测验题

1、BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______,集电结_______。
    A、正偏,反偏
    B、反偏,正偏
    C、零偏,正偏
    D、反偏,零偏

2、当温度升高时,BJT集电极电流______。
    A、增大
    B、减小
    C、不变
    D、不确定

3、BJT放大电路共有三种组态的放大电路,它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
    A、功率,共集电极
    B、共集电极,反馈
    C、反馈,功率
    D、共集电极,共基极

4、NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_______,此时应该_______基极电流。
    A、饱和失真,增大
    B、截止失真,减小
    C、交越失真,减小
    D、截止失真,增大
    E、饱和失真,减小

5、用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是_______,该管是________型。
    A、b、c、e;NPN
    B、c、b、e;NPN
    C、e、c、b;NPN
    D、b、c、e;PNP
    E、f、b、e;PNP
    F、e、c、b;PNP

6、复合管如图所示,等效为一个BJT时,2端是 ,3端是 。
    A、基极,集电极
    B、集电极,发射极
    C、发射极,集电极
    D、发射极,基极

7、图示各电路中,能正常放大正弦交流信号的电路是_______ (设各电容的容抗可忽略)。
    A、图(a)
    B、图(b)
    C、图(c)
    D、图(d)

8、测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下,工作在放大区的BJT是________。
    A、VC=6V,VB=2V,VE=1.3V
    B、VC=6V,VB=6V,VE=5.6V
    C、VC=6V,VB=4V,VE=3.6V
    D、VC=3.6V,VB=4V,VE=3.4V

9、设原理图中各电容容抗均可忽略,其小信号等效电路为________。
    A、图(a)
    B、图(b)
    C、图(c)
    D、图(d)

10、电路如图(a)所示,若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象,为消除此失真,又基本不改变输出电阻,应调整电路中的________元件,将其________。
    A、Rb,调小
    B、Rc,调小
    C、Rb,调大
    D、Rc,调小
    E、Cb1,调大
    F、Cb2,调大

11、射极偏置电路如图所示,已知b = 60。该电路的电压增益约为________。
    A、-90
    B、-103
    C、-110
    D、-120

12、在图示电路中,已知Rb=260kW,Re=RL=5.1kW,Rsi=500W,VEE=12V,b=50,|VBE|=0.2V,则电路的输入电阻约为________,输出电阻约为________。
    A、87.3W,36W
    B、87.3 kW,36W
    C、110.3 kW,33 kW
    D、87.3 kW,33 kW

13、共基极电路如图所示。设b=100,Rs=0,RL=¥,则电路的电压增益约为_______,输入电阻约为________,输出电阻约为________。
    A、268,28W,7.5kW
    B、288,5.5kW,7.5kW
    C、288,5.5kW,28W
    D、268,5.5kW,20W

14、NPN型BJT只能在正电源电压下工作,而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。

15、同一只BJT,无论在什么情况下,它的b 值始终不变。

16、BJT放大电路在不失真地放大动态信号时,其三个电极的实际电流方向始终不变。

17、在阻容耦合放大电路中,信号源和负载电阻会影响电路的Q点。

18、直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。

19、BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况,不能用来分析静态工作点。

20、可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。

21、BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。

第6章 放大电路频率响应

放大电路频率响应测验题

1、某放大电路中的幅频响应波特图如图示。那么该电路的中频电压增益=______,上限频率fH =______,下限频率fL =______。
    A、1000,100MHz,100Hz
    B、60dB,100Hz,100MHz
    C、60,1Hz,10GHz
    D、60,10GHz,1Hz

2、某放大电路增益的幅频响应波特图如图示。当输入信号的频率等于下限截止频率或上限截止频率时,该电路的实际增益是_________(dB)。
    A、60
    B、57
    C、40
    D、63

3、图示一阶RC电路,其电压传递函数为_________。
    A、
    B、
    C、
    D、RC

4、图示一阶RC高通电路,当输入信号的频率等于时,电路的_______。
    A、0dB
    B、3dB
    C、-3dB
    D、-20dB

5、图示一阶RC电路,设R=1KW,为了对高于1MHz信号的衰减能达到3dB以上,只要电容C值________就可以。
    A、大于1pF
    B、大于160pF
    C、大于1mF
    D、大于10mF

6、电路如图所示,其中+VDD=5V,Rsi = 1kW,Rg1= 30kW,Rg2 = 20kW,Rd = 4kW,gm= 0.8mS,l = 0,Cgs=1pF,Cgd=0.5pF。那么该电路源电压增益的上限截止频率约为 。
    A、55.7MHz
    B、5.57MHz
    C、28.4MHz
    D、557kHz

7、电路如图示,已知该电路在室温(300K)下运行,且BJT的VBEQ=0.6V,rbb¢=100W,b0=100,Cb¢c=0.5pF,fT =400MHz;VCC=12V,Rb1=100kW,Rb2=16kW,Re=1kW,Rc=RL=5.1kW,Rs=1kW,那么该电路的上限截止频率约为 。
    A、3.45MHz
    B、345kHz
    C、221kHz
    D、457kHz

8、放大电路在高频信号作用时放大倍数下降的主要原因是________。
    A、耦合电容和旁路电容的影响
    B、三极管极间电容和分布电容的影响
    C、三极管的非线性特性影响
    D、放大电路的静态工作点不合适

9、放大电路在低频信号作用时放大倍数下降的主要原因是________。
    A、耦合电容和旁路电容的影响
    B、三极管极间电容和分布电容的影响
    C、三极管的非线性特性影响
    D、放大电路的静态工作点不合适

10、在两级放大电路中,已知各自单级20lg|AVM1| = 40dB,fL1 = 4Hz,fH1 = 20kHz;20lg|AVM2| = 30dB,fL2 = 400Hz,fH2 = 150kHz。则两级放大电路的电压增益为 ,上限截止频率约为 ,下限截止频率约为 。
    A、70dB,20kHz,400Hz
    B、10dB,20kHz,150Hz
    C、12dB,,44kHz,400Hz
    D、40dB,170kHz ,4Hz

11、在共源极和共射极电路的高频等效电路中,分别由 和 引入了密勒效应。
    A、栅-源极电容Cgs,基-射极电容Cb¢e
    B、栅-漏极电容Cgd,基-集极电容Cb¢c
    C、漏-源极电容Cds,基-射极电容Cb¢e
    D、漏-源极电容Cds,基-集极电容Cb¢c

12、某放大电路的通频带是50Hz~50kHz,中频电压增益=40dB,最大不失真交流输出电压范围是-3V~+3V。下列信号中,经该电路放大后基本不会产生失真(失真率γ<10%)的是 。
    A、幅度为10mv,频率为4kHz的方波
    B、幅度为20mv,频率为50kHz的方波
    C、30sin(4p´t) mV
    D、40sin(4p´25´t)mV

13、为降低图示电路的下限截止频率但又不改变通带增益,可采取的措施是________。
    A、增大Cb1, Cb2
    B、增大Ce
    C、增大RC
    D、增大RL

14、在分析放大电路频率响应时,通过等效RC高通电路分析高频响应,而通过等效RC低通电路分析低频响应。

15、无旁路电容的直接耦合放大电路区别于阻容耦合放大电路的特点是,它在低频区的增益不会衰减。

16、通常情况下,对共源极放大电路低频特性影响更大的是源极旁路电容。

17、可以通过选择极间电容小的三极管来降低放大电路的下限频率。

18、可以通过降低放大电路的增益来增大带宽。

19、通常共栅极和共基极放大电路的通频带要宽于共源极和共射极放大电路。

第7章 模拟集成电路

模拟集成电路测验题

1、当差分式放大电路两输入端电压为vi1=250mV,vi2= 150mV,则vid= mV,vic= mV。
    A、100,200
    B、100,400
    C、200,100
    D、50,200

2、双端输出的理想差分放大电路,已知|Avd | = 40,|Avc | = 0。若vi1=20mV,vi2= -5mV 。则|vo |为 mV。
    A、1000
    B、600
    C、-200
    D、800

3、电流源电路如图所示,VDD = VSS =5V,T1~T3的VTN = 2V,l = 0,而Kn1 = Kn3 = 0.25 ,Kn2=0.10,则IREF = mA和IO = mA。
    A、2.25,0.9
    B、22.5,0.9
    C、1,0.1
    D、5,0.2

4、电流源电路是一个___________,其交流等效电阻__________。
    A、双口网络,恒定
    B、单口网络,很小
    C、单口网络,很大
    D、双口网络,很小

5、放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
    A、采用了直接耦合方式
    B、采用了阻容耦合方式
    C、采用了正负双电源供电
    D、增益太大

6、差分放大电路共模抑制比的大小反映了__________。
    A、差模增益的大小
    B、共模增益的大小
    C、抑制零漂的能力
    D、带负载能力

7、差分式放大电路最重要的特点是 。
    A、较高的差模增益和很低的共模增益
    B、零点漂移严重
    C、频带很宽
    D、输入电阻很小

8、在差分式放大电路中,源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置,带来的好处是 。
    A、提高输入电阻
    B、提高差模电压增益
    C、提高共模电压增益
    D、提高共模抑制比

9、集成运算放大器的输入级采用差分放大电路的主要原因之一是它的 能力强。
    A、电压放大
    B、电流放大
    C、带负载
    D、抑制零点漂移

10、设在差分式放大电路中输入信号为vi1=1050uV,vi2=950uV,若电路的| Avd | = 100,| Avc | = 2。则最大输出电压| vo|=________。
    A、12mV
    B、10mV
    C、200mV
    D、120mV
    E、100mV

11、在电路图示的源极耦合差分式放大电路中,VDD = VSS =5V,IO = 0.2mA,电流源输出电阻ro=100kW,Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW,FET的Kn= 1.5m,且ro >>rds >>Rd,那么T2漏极单端输出时的差模电压增益Avd2 =________,共模抑制比KCMR =________。
    A、3.85, 77
    B、3.85, 110
    C、-3.85, 77
    D、-3.85, 110

12、在图示的射极耦合差分式放大电路中,VCC=VEE=10V,IO=1mA,ro=25kW,Rc1=Rc2=10kW,BJT的β=200,VBE=0.7V。当vi1=vi2=0时,VCE1=VCE2=________;由T1集电极单端输出时的差模电压增益Avd1»________,共模抑制比KCMR »________。
    A、5.7V, -93.5, 467.5
    B、5V, -93.5, 467.5
    C、5.7V, 93.5, 467.5
    D、5V, 93.5, 767.5

13、通用型集成运算放大器高频区的电压增益幅频响应在0dB以上的斜率一般是 。
    A、3dB/十倍频
    B、-20dB/十倍频
    C、20dB/十倍频
    D、40dB/十倍频
    E、-40dB/十倍频

14、运放的单位增益带宽fT=1MHz,转换速率SR=1V/μs,当运放构成反相放大电路时的闭环增益Av=-10,则小信号闭环带宽fH=______;当输出电压不失真最大幅度Vom=10V时,那么全功率带宽BWP=______。
    A、100kHz, 15.9kHz
    B、10kHz, 15.9kHz
    C、100kHz, 159kHz
    D、100Hz, 159Hz
    E、100kHz, 159Hz

15、交流放大电路如图所示。电容对信号来说可视为短路。其交流电压增益表达式为________。
    A、
    B、
    C、
    D、

16、运放单电源阻容耦合放大电路如图所示,其交流电压增益表达式为_______。
    A、
    B、
    C、
    D、

17、图示电路中,已知运放741的IIO=20nA,IIB=100nA,VIO=5mV,且R2=R1//Rf ,那么电路的输出直流误差电压VO =________。
    A、507mV
    B、505mV
    C、517mV
    D、515mV

18、差分式放大电路与单管放大电路相比,增加了大约一倍的元器件,但获得了抑制零点漂移的能力。

19、共模抑制比是衡量放大电路电压放大能力的指标。

20、差分式放大电路中源极或射极公共支路上的电流源动态电阻ro对共模输入信号来说相当于短路。

21、差分式放大电路的漏极或集电极带镜像有源负载时,可以使单端输出等效为双端输出。

22、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路,所以它只能放大直流信号,不能放大交流信号。

23、当希望集成运放尽可能接近理想运放时,要求Avo、rid、KCMR越大越好。

24、当希望集成运放尽可能接近理想运放时,要求ro、IIB、IIO、VIO、DIIO/DT、DVIO/DT越小越好。

25、当希望集成运放尽可能接近理想运放时,要求BW(fH) 、SR越小越好。

26、运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fH是较低的,一般通用型运放的fH约为几赫兹至几十赫兹。

27、在设计运放构成的交流放大电路时,需要特别关注运放输入端的直流通路。

28、在单电源工作的运放电路中,输出静态电压的设置都与输入信号无关。

29、IIB、IIO、VIO的影响只会产生输出静态误差,不会导致运放工作异常。

30、轨到轨运算放大器消除了失调电压和失调电流的影响。

31、图示电路是可以正常工作的交流电压跟随器电路。

第8章 反馈放大电路

反馈放大电路测验题

1、对于放大电路,所谓开环是指 。
    A、无电源
    B、无信号源
    C、无反馈通路
    D、无负载

2、对于放大电路,所谓闭环是指 。
    A、有信号源
    B、有反馈通路
    C、接入了电源
    D、接入了负载

3、温度升高时,若想稳定放大电路的静态工作点,应当引入 负反馈。
    A、交流
    B、直流
    C、电压
    D、电流

4、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的反馈是负反馈。
    A、输入电阻增大
    B、输出量增大
    C、净输入量增大
    D、净输入量减小

5、为了稳定放大电路的输出电压,应引入 负反馈。
    A、电压取样
    B、电流取样
    C、串联输入
    D、并联输入

6、为了减小放大电路的输入电阻,应引入 负反馈。
    A、电压
    B、电流
    C、串联
    D、并联

7、为了增大放大电路的输出电阻,应引入 负反馈。
    A、电压取样
    B、电流取样
    C、串联输入
    D、并联输入

8、图示电路级间引入了 反馈,该反馈属于 反馈。
    A、正,直流
    B、负,交流
    C、负,直交流
    D、正,直交流

9、图示电路级间引入了 反馈,该反馈属于 反馈。
    A、正,直流
    B、负,交流
    C、负,直交流
    D、正,直交流

10、图示电路级间引入了 反馈,该反馈属于 反馈。
    A、正,直流
    B、负,交流
    C、负,直交流
    D、正,直交流

11、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
    A、电流串联正反馈
    B、电流串联负反馈
    C、电压串联负反馈
    D、电流并联负反馈
    E、电压并联负反馈
    F、电压并联正反馈

12、图示电路中级间的交流反馈属于__________。
    A、电压串联正反馈
    B、电流串联负反馈
    C、电压串联负反馈
    D、电流并联负反馈
    E、电压并联负反馈
    F、电流并联正反馈

13、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
    A、电压串联正反馈
    B、电流串联负反馈
    C、电压串联负反馈
    D、电流并联负反馈
    E、电压并联负反馈
    F、电流并联正反馈

14、图中最适合用于电流到电压转换的电路是 。
    A、
    B、
    C、
    D、
    E、

15、已知放大电路的开环增益为2000,反馈系数为0.01,则闭环增益为 ,反馈深度为 。
    A、95.2,21
    B、100,21
    C、95.2,20
    D、100,20

16、已知放大电路输入信号电压为1mV,输出电压为1V,加入负反馈后,为达到同样输出时需要加的输入信号为50mV,那么电路的反馈深度为 ,反馈系数为 。
    A、50,0.049
    B、20,0.05
    C、50,0.001
    D、20,0.01

17、由运放组成的同相放大电路中,已知运放的开环增益为,Rf =51kW,R1 =5.1kW,那么反馈系数约为 ,闭环电压增益约为 。
    A、0.098,10.2
    B、0.091,11
    C、0.1,-10
    D、10,-10

18、设图示电路满足深度负反馈条件,则其闭环电压增益为 。
    A、
    B、
    C、
    D、

19、设图示电路满足深度负反馈条件,则它的反馈系数为________,闭环增益约为________,闭环电压增益约为________。
    A、
    B、
    C、
    D、

20、设图示电路满足深度负反馈条件,则它的闭环电压增益 ________。
    A、
    B、
    C、
    D、

21、某负反馈放大电路的高频区频率响应如图示。反馈网络由纯电阻组成。若要求电路稳定工作(保证45°相位裕度),则要求反馈系数________。
    A、小于等于0.001
    B、大于等于0.001
    C、小于等于0.1
    D、大于等于0.1
    E、小于等于0.01
    F、大于等于0.01

22、图示电路中级间的交流反馈属于_________,(电路中的电容对交流信号均可视为短路)。
    A、正反馈
    B、负反馈
    C、电压反馈
    D、电流反馈
    E、串联反馈
    F、并联反馈

23、图示电路中的交流反馈属于_________,(电路中的电容对交流信号均可视为短路)。
    A、正反馈
    B、负反馈
    C、电压反馈
    D、电流反馈
    E、串联反馈
    F、并联反馈

24、图示电路中级间的交流反馈属于_________。
    A、正反馈
    B、负反馈
    C、电压反馈
    D、电流反馈
    E、串联反馈
    F、并联反馈

25、图示电路中级间的交流反馈的作用是________。
    A、稳定输出电压
    B、稳定输出电流
    C、增大输入电阻
    D、减小输入电阻
    E、增大输出电阻
    F、减小输出电阻

26、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
    A、稳定输出电压
    B、稳定输出电流
    C、增大输入电阻
    D、减小输入电阻
    E、增大输出电阻
    F、减小输出电阻

27、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
    A、稳定输出电压
    B、稳定输出电流
    C、增大输入电阻
    D、减小输入电阻
    E、增大输出电阻
    F、减小输出电阻

28、由于引入负反馈后,放大电路的增益会明显下降,所以引入负反馈对放大电路没有好处。

29、环路增益就是闭环增益。

30、负反馈只能改善环路内的放大电路性能,对反馈环外的电路无效。

31、放大电路的增益-带宽积在任何情况下都是一个常数。

32、无论在什么情况下,分析运算放大器组成的电路时,都可以运用虚短和虚断的概念。

33、为了改善反馈放大电路的性能,引入的负反馈深度越深越好。

34、只要反馈放大电路由负反馈变成了正反馈,就一定会产生自激。

35、只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频,那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时,都不会产生自激振荡。

36、某负反馈放大电路的高频区频率响应如图示,那么该电路由电阻网络引入任何深度的负反馈时都能稳定工作。

第9章 功率放大电路

功率放大电路测验题

1、为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是 。
    A、输出信号电压尽可能大
    B、输出信号电流尽可能大
    C、输出信号的电压和电流都尽可能大
    D、输出信号的电压大电流小

2、放大电路的工作方式有甲类、乙类和甲乙类等,其中甲乙类放大器中放大管的导通角 。
    A、π
    B、2π
    C、大于π小于2π
    D、小于π

3、以下放大电路中,效率最高的是 。
    A、甲类放大器
    B、乙类放大器
    C、甲乙类放大器
    D、差分式放大器

4、功率管2N6078室温下的参数为,VCE(max)=250V,IC(max)=7A,PC(max)=45W,若电路工作时VCE=20V,则IC的最大电流为 。
    A、7A
    B、3.5A
    C、2.25A
    D、无限制

5、电路如图示,设VCC=12V,RL=8Ω,输入信号vi为正弦波,若BJT的饱和压降为2V,负载可得到的最大的输出功率为 。
    A、12.5W
    B、6.25W
    C、18W
    D、9W

6、电路如图所示,设RL=8Ω,输入信号vi为正弦波,若BJT的饱和压降可忽略不计,负载可得到的最大不失真的输出功率为9W时,电源电压VCC至少应该为 。
    A、大于等于12V
    B、大于等于24V
    C、大于等于6V
    D、大于等于18V

7、图示电路属于 。
    A、甲类放大器
    B、乙类放大器
    C、甲乙类放大器
    D、丙类放大器

8、在图示电路中,二极管D1、D2和R3的作用是 。
    A、整流
    B、克服交越失真
    C、滤波
    D、限幅

9、设计一个输出功率为100W的功率放大电路,则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为 。
    A、20W
    B、30W
    C、40W
    D、50W

10、乙类互补对称功率放大电路如图所示,采用双电源供电,若忽略BJT的饱和压降,则功率管承受的最大反向电压为 。
    A、VCES
    B、2VCC
    C、2VCC-VCES
    D、2(VCC-VCES)

11、图示MOSFET功率放大器,当输入为正弦交流信号时,输出会有交越失真。

12、为了克服功率放大电路的交越失真,图中(a)电路更好。

13、图示电路工作时,会产生明显的交越失真。

第10章 信号处理与信号产生电路

信号处理与信号产生电路测验题

1、若信号频率低于20Hz,应选用______滤波器。
    A、低通
    B、高通
    C、带通
    D、带阻

2、希望抑制50Hz的交流电源干扰,应选用______滤波器。
    A、低通
    B、高通
    C、带通
    D、带阻

3、信号频率覆盖500Hz~50kHz,应选用______滤波器。
    A、低通
    B、高通
    C、带通
    D、带阻

4、单门限比较器只有______个门限值,而迟滞比较器则有______个门限电压值。
    A、1,2
    B、2,3
    C、2,1
    D、1,1

5、若希望在输入电压小于-3V时,输出电压为高电平;而在输入电压大于+3V时,输出电压为低电平。可采用________电压比较器。
    A、反相迟滞
    B、同相迟滞
    C、反相单门限
    D、同相单门限

6、电路如图示。已知= 500HZ,电容C取1微法,则电路的巴特沃斯低通滤波器参数:R»________,________。
    A、318.5W,
    B、318.5kW,
    C、3.18kW,
    D、318.5kW,

7、电路如图示,为了使电路能够起振,R3至少应该 。电路的振荡频率约为 。
    A、大于1.3kW,1kHz
    B、大于2.7kW,1kHz
    C、小于1.3kW,1kHz
    D、小于1.3kW,100Hz
    E、大于1.3kW,10kHz
    F、大于2.7kW,10kHz

8、图示电压比较器的门限电压为 。(图中VZ=9V)。
    A、0V
    B、+3V和-3V
    C、+5V和-5V
    D、+6V和-6V

9、方波-三角波产生电路如图示,但是该电路有错误,其错误是 。
    A、电容参数不合适
    B、C1的两个输入端接反了
    C、A2的两个输入端接反了
    D、不能用D2

10、有源滤波电路通常由集成运放和电阻、电容组成。

11、带通滤波器的Q值越大,它的通带宽度就越窄(设它的中心频率远大于带宽)。

12、低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限截止频率。

13、在采用正反馈方框图的条件下,如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为jf,放大电路的相移为ja,那么只有,才能满足相位平衡条件。

14、只要满足相位平衡条件,且,就能产生自激振荡。

15、在放大电路中,只要具有正反馈,就会产生自激振荡。

16、在RC桥式正弦波振荡电路中,实现稳幅的指导思想通常是,使负反馈随着输出电压幅值的增加而加强(即电压增益下降)。

17、图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。

18、图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。

19、非正弦波产生电路的振荡条件与正弦波振荡电路的振荡条件相同。

20、用于电压比较器的运放总是工作在开环状态或正反馈状态下。

第11章 直流稳压电源

直流稳压电源测验题

1、整流是________。
    A、将交流变为直流
    B、将高频变为低频
    C、将正弦波变为方波
    D、电压变为电流

2、在桥式整流电路中,负载流过电流IL,则每只整流管中的平均电流ID为________。
    A、IL/2
    B、IL
    C、IL/4
    D、2IL

3、在单相桥式整流电路中,输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为_______。
    A、VL=0.9 V2
    B、VL=1.4 V2
    C、VL=0.45 V2
    D、VL=1.2 V2

4、在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
    A、VL=0.9 V2
    B、VL=1.4 V2
    C、VL=0.45 V2
    D、VL=1.2 V2

5、在图示电路中,忽略二极管的正向压降,每个二极管的最大反向电压为_____(V2为变压器副边电压的有效值)。
    A、
    B、
    C、
    D、

6、具有放大环节的串联型线性稳压电路在正常工作时,调整管始终处于_____工作状态。
    A、放大
    B、开关
    C、截止
    D、恒流

7、如图所示电路中,若变压器副边电压有效值为20V,此时图中A点电压约为_____。
    A、20V
    B、24V
    C、28V
    D、30V

8、如图所示电路中,若齐纳二极管DZ1的稳定电压为6V,那么负载上电压的最大值为______,最小值为______。
    A、20V,9V
    B、28V,9V
    C、18V,9V
    D、28V,18V

9、图示电路中,图中A点对地的电压为_____,B点对地的电压为_____。
    A、-15V,+15V
    B、+9V,-9V
    C、-18V,+18V
    D、+15V,-15V

10、开关稳压电源比线性稳压电源效率高的原因是_____。
    A、可以不加散热器
    B、可以不用电源变压器
    C、调整管工作于开关状态
    D、调整管工作于放大状态下

11、图示的开关稳压电源在结构上是______型,属于_____型电路。
    A、串联,降压
    B、并联,降压
    C、并联,升压
    D、串联,升压

12、在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。

13、单相桥式整流电路的输出电压平均值比半波整流时增加了一倍。

14、在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反,将造成短路。

15、串联型线性稳压电路中,调整管与负载串联且工作于放大区。

16、开关稳压电路中,开关管导通时,工作于放大区。

17、开关稳压电源的输出电压动态范围宽,且纹波小于串联反馈式稳压电源。

2019年春季《模拟电子技术基础》期末考试试题

2019年春季《模拟电子技术基础》期末考试试题

1、互阻放大电路和电压放大电路常常要求________的交流输出电阻。
    A、尽可能小
    B、尽可能大
    C、不大不小
    D、任意

2、电路如图所示,设运放是理想的,则电路的电压增益为 ,输入电阻为 。
    A、21,1kΩ
    B、-20,1kΩ
    C、21,2kΩ
    D、-20,10kΩ
    E、10,2kΩ

3、电路如图所示,已知运算放大器的输出饱和压降为1V,那么,为了保证输出电压不产生失真,输入电压的范围约为 。
    A、-0.52V ~ +0.52V
    B、-0.55V ~ +0.55V
    C、-1.1V ~ +1.1V
    D、-0.6V ~ +0.6V
    E、-0.52V ~ +0.6V

4、电路如图所示,设运放是理想的,则输出电压和输入电压的关系式为。
    A、
    B、
    C、
    D、

5、若要将幅度为±Vm的占空比为50%的矩形波转变为三角波,则应选用 。
    A、反相比例运算电路
    B、同相比例运算电路
    C、微分运算电路
    D、积分运算电路

6、电路如图所示,设运放均为理想的,则输出电压表达式为_________。
    A、
    B、
    C、
    D、

7、在所列电路中, 可实现函数y=a x1+b x2+c x3,其中x1、x2和x3为输入信号,y为输出信号,a、b和c均大于零。
    A、同相输入的求和电路
    B、同相比例运算电路
    C、反相比例运算电路
    D、反相输入的求和电路
    E、求差电路

8、二极管正向偏置是指_________。
    A、阳极电位高于阴极电位
    B、阴极电位高于阳极电位
    C、二极管两电极间加正弦电压
    D、二极管两电极间加直流电压

9、有A、B、C、D四个二极管,测得它们的反向电流以分别是2μA,0.5μA,5μA,1μA;在外加相同数值的正向电压时,每管电流分别是10mA、30mA,15mA,30mA。比较而言__________性能最好。
    A、A管
    B、B管
    C、C管
    D、D管

10、电路如图所示,若vi是有效值为30V的正弦波电压,RL = 100W,忽略二极管的正向压降,那么下列各型的二极管中,可用的是 。
    A、A型二极管最高反向工作电压为50V,最大整流电流为150mA。
    B、B型二极管最高反向工作电压为60V,最大整流电流为100mA。
    C、C型二极管最高反向工作电压为40V,最大整流电流为200mA。
    D、D型二极管最高反向工作电压为35V,最大整流电流为300mA。

11、稳压二极管(齐纳二极管)工作时利用的是二极管的 特性;整流二极管工作时利用的是二极管的 特性。
    A、单向导电,反向电击穿
    B、势垒电容,单向导电
    C、反向电击穿,单向导电
    D、扩散电容,反向电击穿

12、P沟道耗尽型MOS管的栅源夹断电压是________。
    A、正值
    B、负值
    C、零值
    D、不确定的

13、在MOSFET放大电路中,当vGS为正值时, 电路不可能正常放大。
    A、N沟道增强型MOSFET
    B、N沟道耗尽型MOSFET
    C、P沟道增强型MOSFET
    D、P沟道耗尽型MOSFET

14、MOSFET用于放大时,工作在特性曲线的 。
    A、截止区
    B、饱和区(恒流区)
    C、可变电阻区
    D、预夹断点

15、图(a)所示电路的直流通路是________,交流通路是________。
    A、图(b),图(e)
    B、图(c),图(f)
    C、图(d),图(e)
    D、图(b),图(g)

16、电路如图所示。设电流源电流,场效应管的若想使那么___________。
    A、5.8k
    B、11.8k
    C、8k
    D、4k
    E、10k

17、如果已测得放大电路中MOSFET三个电极的对地电压如图中所示,且已知该MOSFET开启电压的绝对值为1.5V,那么它的静态工作点________。若要求该放大电路输出电压的动态范围至少达到2V,那么,________。
    A、靠近截止区,应该增大Rg2
    B、靠近可变电阻区(非饱和区),应该增大Rg1
    C、在合适的饱和区(恒流区),无需做任何调整
    D、靠近截止区,应该增大Rg1

18、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为________。
    A、图b
    B、图c
    C、图d
    D、图e

19、设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为________。
    A、图b
    B、图c
    C、图d
    D、图e

20、电路如图所示,设MOSFET工作在饱和区(放大区)。已知其gm= 2 mS,l = 0,则该放大电路的通带电压增益绝对值约为___________,输出电阻约为___________ kW。
    A、10,5
    B、20,10
    C、10,10
    D、20,5

21、已知图示两个电路中的场效应管都有合适的静态工作点,且跨导均为gm=5mS,rds可视为无穷大,电容对交流信号可视为短路。则图a电路的电压增益约为 ,输出电阻约为 ;图b电路的电压增益约为 ,输出电阻约为 。
    A、-0.94,3kW,0.94,188W
    B、-15,3kW,0.94,3kW
    C、-0.94,3kW,-0.94,3kW
    D、-15,3kW,0.94,188W

22、共源、共漏和共栅三种组态放大电路中,电路参数相近的情况下,输入电阻最小的是_________,输出电阻最小的是_________。
    A、共源,共漏
    B、共栅,共漏
    C、共漏,共栅
    D、共栅,共源

23、图示两级放大电路是___________ 放大电路。
    A、共源-共栅
    B、共源-共漏
    C、共漏-共栅
    D、共栅-共漏
    E、共漏-共源

24、共集电极放大电路信号由_________输入,_________输出。
    A、发射极,基极
    B、发射极,集电极
    C、集电极,基极
    D、基极,发射极
    E、集电极,发射极

25、BJT放大电路三个电极对地的电位分别为V1=-9V,V2=-6V,V3=-6.7V,这个管子是___________。
    A、PNP型硅管
    B、PNP型锗管
    C、NPN型硅管
    D、NPN型锗管

26、电路如图所示。已知BJT的b=100,则静态时,VCEQ » ________,BJT工作在 _________。
    A、-10.6V,截止区
    B、10.6V,饱和区
    C、10.6V,截止区
    D、-0.2V,饱和区

27、设原理图中各电容容抗均可忽略,其小信号等效电路为________。
    A、图a
    B、图b
    C、图c
    D、图d

28、电路如图所示,已知b = 100,rbe »2kW。设电路有合适的静态工作点,该电路的电压增益约为________。
    A、-400
    B、200
    C、-200
    D、400

29、图示RC电路电压增益的波特图是_________。其中
    A、图a
    B、图b
    C、图c
    D、图d

30、已知某放大电路电压增益的幅频响应波特图如图示。那么该电路在fL和fH处的实际增益是_________(dB)。
    A、80
    B、77
    C、83
    D、3

31、已知某共源放大电路电压增益的幅频响应波特图如图示,且fH >>fL。那么该电路的相频响应在fL处为_______,在fH处为_______。
    A、-135°,-225°
    B、-180°,-180°
    C、-225°,-270°
    D、45°,-45°

32、在两级直接耦合放大电路中,已知第一级的20lg|AVM1| = 40dB,fH1 = 20kHz;第二级的20lg|AVM2| = 20dB,fH2 = 150kHz。则两级放大电路的电压增益为 ,上限截止频率约为 。
    A、60dB,20kHz
    B、80dB,20kHz
    C、60dB,150kHz
    D、40dB,120kHz

33、在共源放大电路的高频等效电路中存在密勒电容效应,密勒等效电容的大小与ˍˍˍˍˍˍˍˍˍˍˍˍ有关。
    A、栅-源极电容Cgs
    B、增益的大小
    C、耦合电容
    D、旁路电容

34、电路如图所示,设β >> 1,T1与T2完全对称,VCC= VEE=5V,VBE=0.6V。则电流Io的值为 。
    A、9.4mA
    B、0.94mA
    C、1.94A
    D、9.4A

35、电流源电路的特点是输出电流恒定,交流等效电阻 。
    A、等于零
    B、比直流等效电阻小
    C、等于直流等效电阻
    D、远远大于直流等效电阻

36、电路如图所示,VDD = VSS =5V,IO = 0.2mA,Rd1 =Rd2 =Rd = 10kW,FET的,且rds >>Rd,则T2漏极单端输出时的差模电压增益为 __________ 。
    A、8.94
    B、-8.94
    C、4.47
    D、-4.47

37、放大电路如图所示,已知IO=1mA, Rc1=Rc2=10kW,BJT的β=100,那么双端输出时的差模增益Avd约为__________。
    A、183.4
    B、91.7
    C、-183.4
    D、-91.7

38、设有一个理想差分放大器,已知:vi1=25mV,vi2=15mV,单出时的差模电压增益为10倍,共模抑制比为1000。且Avd1和Avc1有相同极性,则此时的输出电压vo为________。
    A、100mV
    B、99.8mV
    C、100.2mV
    D、250mV

39、在源极耦合或射极耦合差分式放大电路中,源极或者射极的公共支路采用恒流源是为了__________。
    A、提高差模放大倍数
    B、提高共模放大倍数
    C、提高共模抑制比
    D、提高差模输出电阻

40、电路如图所示,已知电路单端输出的差模电压增益为100,共模抑制比为40dB。若vs = 20mV,则vs引起的vO输出电压的变化量为________。
    A、2V
    B、2.1V
    C、2.01V
    D、1.99V

41、失调电流补偿电路如图题所示。当IBN=I1+IF=100nA,IBP=80nA,若要消除这些电流带来的误差,平衡电阻R2的值应为________。
    A、80kW
    B、100 kW
    C、120 kW
    D、140kW
    E、160 kW

42、为了能抑制温漂,可引入 。
    A、直流负反馈
    B、交流负反馈
    C、直流正反馈
    D、交流正反馈

43、电流反馈是指________。
    A、反馈信号是电流
    B、反馈取样端口与输出信号端口并联
    C、反馈信号端口与输入信号端口串联
    D、反馈信号取自输出电流

44、在反馈放大电路中,若需要实现V/I变换,应该选择________负反馈。
    A、电压串联
    B、电压并联
    C、电流串联
    D、电流并联

45、为了从信号源获取更多的电流信号,并且使输出电压稳定,应该选择________负反馈。
    A、电压串联
    B、电压并联
    C、电流串联
    D、电流并联

46、在下面关于负反馈的说法中,不正确的是________。
    A、负反馈一定会使放大电路的增益下降
    B、负反馈一定是稳定输出电压的
    C、负反馈可以减小放大电路的非线性失真
    D、负反馈可以影响放大电路的带宽

47、图示电路中,级间交流反馈的组态为________。
    A、电压串联负反馈
    B、电压并联负反馈
    C、电流串联负反馈
    D、电流并联负反馈

48、电路如图所示,电路的级间交流的反馈组态为________。
    A、电压串联负反馈
    B、电压并联负反馈
    C、电流串联负反馈
    D、电流并联负反馈

49、一通用型运放的开环增益为,其最低的转折频率为5Hz。若将该运放组成一反相放大电路,并使它的增益为-100,其闭环带宽为 。
    A、50kHz
    B、5MHz
    C、
    D、

50、图示电路中,vi =20mv, 若电路满足深度负反馈条件,则电路的输出电压vo 为________。
    A、240mV
    B、-240mV
    C、260mV
    D、-260mV

51、电路如图所示,vi=50mV 若电路满足深度负反馈条件,则输出电压为________。
    A、250mV
    B、-250mV
    C、300mV
    D、-300mV

52、甲类功放效率低是因为________。
    A、静态电流过大
    B、只有一个功放管
    C、管压降过大
    D、管压降过小

53、多级放大电路中,通常在________需要考虑使用功率放大电路。
    A、输入级
    B、输出级
    C、中间级
    D、都可以

54、克服乙类互补对称功放电路交越失真的方法是________。
    A、增加电容元件
    B、更换三极管
    C、为三极管设置合适的静态工作点,使其工作在微导通状态
    D、适当增加负载电阻RL的值

55、功率放大电路如图所示,当输入电压vI为负半周时________。
    A、T1导通,T2截止
    B、T1截止,T2导通
    C、T1导通,T2导通
    D、T1截止,T2截止

56、双电源乙类互补对称功率放大器中,已知负载电阻阻值为8欧,若不考虑功放管的饱和压降,要求在理想情况下最大输出功率为9W。则该电路的电源电压和功放管的最大集电极额定功耗分别至少应该为________。
    A、电源电压24V,最大集电极功耗大于0.5W
    B、电源电压9V,最大集电极功耗大于4.5W
    C、电源电压24V,最大集电极功耗大于1W
    D、电源电压12V,最大集电极功耗大于1.8W

57、图示功率放大电路中,若三极管的饱和压降为1V,电源电压为VCC =15V,负载电阻RL=8Ω,则负载电阻可能获得的最大功率约为________。
    A、24.5W
    B、12.25W
    C、14W
    D、28W

58、单电源互补对称功放电路如图所示,设vi为正弦波,RL=8Ω,管子的饱和压降VCES可忽略不计。若要求最大不失真输出功率Pom(不考虑交越失真)为5W时,电源电压VCC至少应为________。
    A、12.5V
    B、17.9V
    C、24V
    D、32V

59、有用信号频率在高频段,可选用________滤波器。
    A、高通
    B、带通
    C、低通
    D、带阻

60、二阶压控电压源高通有源滤波器在通带外低频区幅频响应曲线的斜率为________。
    A、20dB/十倍频
    B、-20dB/十倍频
    C、40dB/十倍频
    D、-40dB/十倍频

61、已知低通滤波电路的上限截止频率fH和高通滤波电路的下限截止频率fL,若要得到带通滤波器,必须满足 。
    A、低通串联高通,且fH> fL
    B、低通串联高通,且fH< fL
    C、低通并联高通,且fH> fL
    D、低通并联高通,且fH< fL

62、图示有源滤波电路中,为了保证该滤波器稳定工作,电阻R2的取值范围为________。
    A、R2>2kΩ
    B、R2为任意值
    C、R2<2kΩ
    D、R2=2kΩ
    E、R2>4kΩ

63、正弦波振荡电路如图所示,已知R1=2kΩ,R2=4.5kΩ,振荡幅值稳定后二极管的动态电阻近似为rd=500Ω,RP的阻值应为 。
    A、4.15kW
    B、3.55kW
    C、4.50kW
    D、3.15kW

64、电路如图所示,若图中电阻Rt=10kW,为了让电路能可靠起振,图中电阻R2的取值为_______。电路的振荡频率是 。
    A、R2>10kΩ,159Hz
    B、R2为任意值,10kHz
    C、R2>5kΩ,1.59MHz
    D、R2<5kΩ,1.59kHz
    E、R2=5kΩ,10kHz
    F、R2=10kΩ,10Hz

65、信号产生电路的作用是在________情况下,产生一定频率和幅度的正弦或非正弦信号。
    A、没有直流电源
    B、没有输入信号
    C、没有放大电路
    D、没有反馈信号

66、一比较器电路如图所示。VREF=-1V,VZ=5V,门限电压值为 。
    A、1V
    B、-1V
    C、5V
    D、-5V

67、若要求电压比较器在vI电压由低到高到经过+1V时,输出电压从高电平跳到低电平,而在vI电压由高到低经过-1V时,输出电压从低电平跳到高电平,其它情况下输出电压不变。应采用 。
    A、同相输入单门限比较器
    B、反相输入单门限比较器
    C、同相输入迟滞比较器
    D、反相输入迟滞比较器

68、矩形波-锯齿波产生电路如图所示,若希望仅增大矩形波的占空比,可以________。
    A、增大电阻RW
    B、电阻RW不变,调节滑动端以增大电阻RW1
    C、电阻RW不变,调节滑动端以减小电阻RW1
    D、减小电阻RW
    E、增大电容C的值
    F、减小电容C的值

69、在桥式整流电路中,负载流过电流IL,则每只整流管中的平均电流ID为________。
    A、IL/2
    B、IL
    C、IL/4
    D、2IL

70、在单相桥式整流电路中,电源变压器次级电压的有效值为20V,则每只二极管承受的最大反向电压约为________。
    A、18V
    B、28V
    C、36V
    D、56V

71、图示电路中滤波电容C越大,二极管的导通角________。
    A、不变
    B、越大
    C、越小
    D、无法确定

72、图示电路正常工作时,输出电压为________。
    A、+5V
    B、-5V
    C、+9V
    D、-9V

73、电路图所示,已知IW=10mA,设VI足够大,则输出电压VO的值为________。
    A、15V
    B、-15V
    C、34.2V
    D、-33V
    E、33V

74、在如图所示基本串联型稳压电源中,如果输出电压Uo的变化范围是10V~20V,R1=R3=1kΩ,那么R2的取值为________。
    A、R2>2kΩ
    B、R2=2kΩ
    C、R2=3kΩ
    D、R2=1kΩ
    E、R2=4kΩ

75、共源放大电路的输入电阻通常_______共射放大电路的输入电阻,因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_______。
    A、大于,小
    B、小于,小
    C、大于,大
    D、小于,大

76、在图示电路中,假设电容的容量足够大,电阻均有合适的阻值。能正常放大交流电压信号的电路是_______。
    A、图a
    B、图b
    C、图c
    D、图d

77、已知图示电路中场效应管有合适的静态工作点,若想提高放大电路通带内的电压增益,可采用的方法是 。
    A、在保证静态工作点合适的情况下,适当增大Rd
    B、将Rs短路
    C、更换Kn更大的MOSFET,并调整Rg1或Rg2保证静态工作点合适
    D、断开电容Cs

78、共漏极MOSFET的放大电路,可应用于 场合。
    A、缓冲隔离或阻抗变换
    B、高增益宽带放大
    C、电流跟随
    D、多级电压放大的中间级

79、图示各电路中,能正常放大正弦交流信号的电路是_________ (设各电容的容抗可忽略)。
    A、图a
    B、图b
    C、图c
    D、图d
    E、图e

80、设图示各电路均设置了合适的静态工作点,电容对交流信号可视为短路。输出电压与输入电压相位相反的电路是________。
    A、图a
    B、图b
    C、图c
    D、图d
    E、图e

81、为提高图示电路的上限截止频率,可以采取的措施是__________。
    A、更换fT更高的MOS管
    B、适当减小Rd
    C、通过调整Rg1和Rg2,适当增大漏极静态电流
    D、减小Cs

82、在集成电路中大量使用电流源电路作为有源负载替代电阻的原因有 。
    A、由于大电阻占用面积比BJT或MOSFET占用面积更大
    B、可以减少元件数量
    C、为了设置更大的静态偏置电流
    D、电流源替代电阻能够提高增益

83、图示是MOS管放大电路的交流通路,将反馈电阻Rf接入输入和输出回路中,试分析能在电路中引入下列反馈中的哪几种: 。
    A、电压串联负反馈
    B、电压并联负反馈
    C、电流串联负反馈
    D、电流并联负反馈

84、图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
    A、稳定输出电压
    B、稳定输出电流
    C、增大输入电阻
    D、减小输入电阻
    E、增大输出电阻
    F、减小输出电阻

85、不可能存在传输特性曲线在任何情况下都是线性的放大电路。

86、放大电路中“地”符号“^”的参考电位为零电位。

87、只有既放大电流又放大电压的电路,才称为放大电路。

88、实际运算放大器的带宽与理想运算放大器的带宽基本相同。

89、运算放大器只有工作在线性区时,输出电压才等于运放同相端与反相端输入电压之差乘以增益。

90、放大电路中的运算放大器只要是理想的,就可以运用虚短和虚断。

91、空穴是真实存在的带电粒子

92、从二极管的伏安特性曲线看,二极管两端施加的正向压降大于门槛电压时处于正向导通状态。

93、因为N型半导体的多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。

94、MOSFET放大电路的静态工作点合适时,也可能出现严重的非线性失真。

95、MOS管放大电路的三种组态中只有共源电路的输入与输出反相,其他两种电路的输入与输出都是同相的。

96、多级放大电路的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻,而放大电路的输出电阻等于最后一级(输出级)的输出电阻。

97、NPN型BJT正常工作在放大区时,三个电极的电位关系应该是:集电极电位最高,发射极电位最低,基极电位介于它们之间。

98、由于BJT的控制关系iC =βiB是线性关系,所以它是线性元件。

99、三极管的PN结电容和极间电容是导致增益在高频区衰减的主要原因。

100、可以通过降低三极管放大电路的增益来增大带宽。

101、设计多级放大电路时,其中的单级带宽通常都应该大于总带宽才行。

102、在源极耦合或射极耦合差分式放大电路的漏极或集电极带有源负载时,可以使单端输出等效为双端输出。

103、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路,所以它只能放大直流信号,不能放大交流信号。

104、采用高阻型集成运放构成的电压放大电路输入电阻一定很大。

105、集成电路中的输入级采用差分放大电路的原因是提高电压增益。

106、若放大电路的放大倍数为正值,则引入的反馈一定是正反馈。

107、环路增益就是闭环增益。

108、电流负反馈,可以增大输出电阻。

109、为了改善反馈放大电路的性能,引入的负反馈深度越深越好。

110、在双电源互补对称功率放大电路中,负载上得到最大输出功率的时刻,管耗也达到最大值。

111、在甲类,乙类和甲乙类三种放大器中,由于乙类放大器的效率最高,因此实际的功率放大器一般都采用乙类放大器实现。

112、若希望滤波电路带负载能力强,则应采用无源LC滤波电路。

113、RC桥式振荡电路中,RC串并联网络既是选频网络,同时也构成了负反馈。

114、振荡电路与放大电路的区别之一是:放大电路有输入信号作为激励,输出信号为输入信号的响应,而振荡电路无需输入信号,却有输出信号(压控振荡器例外)。

115、利用反相比例运算放大器构建移相式RC正弦波振荡器时,只需两级RC移相180度即可。

116、线性串联反馈式稳压电路中的调整管必须工作在放大区。

117、开关稳压电路的效率高是因为开关管工作于放大区。

118、已知某多级放大电路电压增益的波特图如图所示。当引入反馈系数Fu=0.001的电压串联负反馈时,电路能稳定工作。

119、MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零,所以MOS管组成的放大电路的输入电阻总可以视为无穷大。

120、PMOS管组成电流源时,实际电流方向一定是流出漏极的。

121、当放大电路输入一个正弦波电压时,如果输出电压波形中含有明显的三次谐波成分,就说明该放大电路的频率失真较大。

122、在阻容耦合放大电路中,增大耦合电容的容量,有利于高频信号畅通,因此可以改善高频响应特性。