第一章测试

1、电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3V image.png

2、电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于0V image.png

3、电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于( )V image.png
    A、0
    B、1
    C、2
    D、3

4、电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=( )V image.png
    A、2.1
    B、2.2
    C、2.3
    D、2.4

5、稳压管的动态电阻愈大,稳压性能也就愈好

6、稳压管的正常工作区是反向区

7、二极管恒压降模型,是指二极管承受正向电压导通时,其管压降为恒定值,且不随电流而变化

8、扩散电容是PN结加正向电压时,多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的

9、当电源的正极接P区,负极接N区,称为PN结加正向电压,也称PN结正向偏置

10、在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度

第二章测试

1、共集电极放大电路的电压放大倍数接近于( )
    A、1
    B、2
    C、3
    D、4

2、共集电极放大电路的输入电阻比较高

3、共集电极放大电路的输出电阻比较低

4、共基极电路的频率响应好,常用作宽带或高频放大电路

5、直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大,而且便于电路集成化

6、不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态,都满足IC=BIB,这种说法正确吗

7、若要求管子的反向电流小,工作温度高,则应选锗管

8、由于ICBO对温度非常敏感,当温度升高时,ICBO增高很快,所以ICEO增加得也很快,IC也就相应增加

9、Ul=-2V,U2=-5V,U3=-2.3V,锗管。3脚为B极,1脚为E极,2脚为C极

10、Ul=8V,U2=2V,U3=2.7V,为硅管。3脚为B极,2脚为E极,1脚为C极

第三章测试

1、N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内 。
    A、为正
    B、为负
    C、可正可负

2、N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压

3、结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。

4、跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系,Q点越高,gm越小

5、输入加在栅极和源极间的输入回路,输出加在漏极和源极间的输出回路,这为共源极放大电路。

6、如图所示的放大电路中,已知VDD=30V,R1=30 ,R2=200 ,Rd=15 ,Rs=1 ,Rg=20 ,负载电阻RL=1 ,场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS。 1.jpg

7、11.jpg 求输出电阻表达式为11.jpg

8、在图所示的放大电路中,已知V DD=30V,R 1=30 ,R 2=200 ,R d=15 ,R s=1 ,R g=20 ,负载电阻R L=1 ,场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS 11.jpg 计算电压放大倍数为11.jpg

9、11.jpg 求静态工作点的步骤为是否正确? 4a0a4d0a6c3b4672a53948dc198198937359319419422775569.png

10、N沟道结型场效应管正常工作,当uGS负向增大时,沟道电阻增大,iD将减小

第四章测试

1、两级放大电路的上限频率分别为f1 =100kHz,f2 =500kHz,则放大电路总的上限频率应为( )kHz。
    A、100
    B、200
    C、300
    D、400

2、如两级放大电路下限频率f1=20Hz,f2=120Hz,则放大电路总的下限频率应为( )Hz
    A、110
    B、120
    C、130
    D、140

3、两级放大电路由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成,下限频率f=100Hz,则总下限频率为156Hz.

4、直接耦合电路下限频率f=1Hz

5、某放大电路的电压放大倍数为20dB,则该电路的电压放大倍数为( )
    A、5
    B、8
    C、10
    D、15

6、如图所示,试写出电压放大倍数表达式 1.png1.png

7、1.png 下限频率为 1.png

8、1.png 相位差=1800

9、根据波特图写电压放大倍数 1.png

10、下限频率 1.jpg 下限频率表达式为 11.png Ri=Rb

第五章测试

1、同型号的三极管可以复合而不同型号的三极管很难复合

2、复合管准互补对称电路中靠近负载的两个输出管的型号是相同的,目的是这样使用使得电路更容易对称。

3、功率放大电路按输出端与负载的耦合方式的不同,分为变压器耦合方式、无输出变压器(OTL)方式和无输出电容(OCL)方式

4、乙类互补对称功率放大电路的能量转换效率最高是78.5%。

5、饱和失真、截止失真和交越失真都属于非线性失真。

6、1.png11.png111.png
    A、16.5
    B、17.5
    C、18.5
    D、19

7、111.png11.png

8、11.png11.png 计算是否正确?

9、电路如图所示,VCC=20V 1.png 静态时,负载 中的电流应该是多少______A ?
    A、1
    B、2
    C、3
    D、0

10、若输出电压波形出现交越失真,应该调整R2 1.png

第六章测试

1、差动放大电路对共模信号的抑制能力,就是抑制零点漂移的能力

2、差动放大电路对差模信号有放大能力

3、差动放大电路仅对差模信号给予放大,而对共模信号无放大能力

4、长尾式差动放大电路也是一种典型差动放大电路,Re数值愈大,对共模信号(即零点漂移)的抑制能力就愈强

5、长尾式差动放大电路,Re基本上不影响差模信号的放大效果

6、1.png2.png3.png11.png 表达式是否正确

7、镜像电流源输出电流与基准电流相等

8、带恒流源的差分放大电路 1.png1.png1.png1.png 是否正确

9、为了提高共模抑制比,可采用的途径有:一方面是使电路参数尽量对称,另一方面可尽量加大共模反馈电阻Re

10、2.png3.png11.png 是否正确?

第七章测试

1、电路如图所示,引入跨级之间的交流负反馈类型( ) image.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

2、电路如图所示,引入跨级之间的交流负反馈类型( ) image.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

3、电路如图所示,引入跨级之间的交流负反馈类型( ) image.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

4、电路如图所示,引入跨级之间的交流负反馈类型( ) image.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

5、电路如图所示,引入跨级之间的交流负反馈类型( ) image.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

6、1.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

7、1.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

8、1.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

9、1.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

10、1.png
    A、串联电压
    B、串联电流
    C、并联电压
    D、并联电流

第八章测试

1、电路如图所示,试指出图示电路属哪种类型的滤波电路 image.png
    A、低通
    B、高通
    C、带通
    D、带阻

2、电路如图所示,试指出图示电路属哪种类型的滤波电路 image.png
    A、低通
    B、高通
    C、带通
    D、带阻

3、同相比例运算电路,电路的输入电阻高,输出电阻很高

4、同相比例运算电路不存在“虚地”现象,该电路存在共模输入电压

5、低通滤波器也叫高频滤波器,其功能是允许低频信号通过而高频信号不能通过

6、1.png 判断计算过程的对错

7、1.png
    A、1
    B、2
    C、3
    D、4

8、1.png
    A、1
    B、2
    C、3
    D、4

9、1.png
    A、1
    B、3
    C、5
    D、6

10、1.png
    A、2、4
    B、3、4
    C、2、6
    D、4、5

第九章测试

1、试用相位平衡条件判断如图所示电路能否产生自激振荡 image.png
    A、能
    B、否

2、试用相位平衡条件判断如图所示电路能否产生自激振荡 image.png
    A、能
    B、否

3、试用相位平衡条件判断如图所示电路能否产生自激振荡 image.png
    A、能
    B、否

4、试用相位平衡条件判断如图所示电路能否产生自激振荡 image.png
    A、能
    B、否

5、试用相位平衡条件判断如图所示电路能否产生自激振荡 image.png
    A、能
    B、否

6、已知集成运放的最大输出电压±15V.稳压管的稳压值Uz=土6V。R1=10 kΩ,当输入是峰值为5的正弦波时,试求。该电路门限电平为( )V 1.png
    A、0
    B、1
    C、2
    D、3

7、已知集成运放的最大输出电压±15V.稳压管的稳压值Uz=土6V。R1=10 kΩ,当输入是峰值为5的正弦波时,试求。当u i <0 时,u o = +( )V 1.png
    A、2
    B、4
    C、6
    D、8

8、已知集成运放的最大输出电压±15V.稳压管的稳压值Uz=土6V。R1=10 kΩ,当输入是峰值为5的正弦波时,试求。 当u i >0时,u o=-( )V 1.png
    A、1
    B、3
    C、5
    D、6

9、常用于高频电子设备中的振荡电路是RC桥式正弦波振荡电路

10、电路如图所示,相位平衡条件判断图示电路能产生正弦波振荡,反馈电压取自C2。 1.png

第十章测试

1、在单相桥式整流、电容滤波电路中,变压器二次侧电压的有效值U2 = 10V,且满足image.png,则输出电压的平均值为
    A、4.5V
    B、9V
    C、12V
    D、14V

2、在单相桥式整流、电容滤波电路中,变压器二次侧电压的有效值U2 = 10V,且满足image.png,若电容虚焊,则输出电压的平均值为
    A、4.5V
    B、9V
    C、10V
    D、12V

3、在单相桥式整流电路中,负载上的平均电流值为10A,则二极管的平均电流值为
    A、20A
    B、10A
    C、9A
    D、5A

4、串联型稳压电路如图所示,已知稳压管VDZ的稳压值UZ=6V,R1=200Ω,Rp=100Ω,R2=200Ω,负载RL=20Ω,则输出电压Uo的调整范围是 image.png
    A、-10 ~ -15V
    B、-15 ~ -20V
    C、10 ~ 15V
    D、15 ~ 20V

5、已知R1 = R2 = R3 = 200Ω,并且R2的抽头处于中点,则Uo = image.png
    A、20V
    B、10V
    C、-20V
    D、-10V

6、稳压电路如题图所示,稳压管VDZ的稳压值UZ=6V。该电路能稳压。 1.png

7、在如图所示串联型稳压电源中,已知稳压管VDZ的稳定电压UZ=5.3V,晶体管的UBE=0.7V。当Rp的滑动端在最下端时UO=15V,求解Rp为( )欧姆; 1.png
    A、102
    B、80
    C、56
    D、100

8、在如图所示串联型稳压电源中,已知稳压管VDZ的稳定电压UZ=5.3V,晶体管的UBE=0.7V。当Rp的滑动端在最上端时求解UO等于( )V。 1.png
    A、5
    B、10
    C、15
    D、20

9、串联型稳压电路如图所示,已知稳压管VDZ的稳压值UZ=6V,R1=200Ω,Rp=100Ω,R2=200Ω,负载RL=20Ω 标出运算放大器A的同相输入端和反相输入端,运算放大器A的上端为反相输入端。 1.png

10、W7812输出电压为14V